[發(fā)明專利]一種制備MnO2/C復(fù)合薄膜電極材料的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110081440.0 | 申請日： | 2011-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102157272A | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黎陽;謝華清;王繼芬 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海第二工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01G9/042 | 分類號： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海東創(chuàng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 寧芝華 |
| 地址： | 201209 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 mno sub 復(fù)合 薄膜 電極 材料 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制備MnO2/C復(fù)合薄膜電極材料的方法，其特征在于：采用磁控濺射方法制備，通過控制濺射電源功率、濺射氣氛、濺射偏壓、濺射壓強和濺射溫度得到MnO2/C復(fù)合薄膜，具體步驟如下：
選直徑2英寸的金屬Mn靶和石墨靶為靶材；Mn靶采用射頻電源，所述的射頻電源功率在50～150W之間；石墨靶采用直流電源，所述的直流電源功率30～60W之間；濺射氣氛為高純Ar和高純O2的混合氣；濺射前的基底真空小于5×10-4Pa；在濺射過程中對基底施加0～-100V濺射偏壓；并將濺射壓強控制在0.5～1.0Pa之間內(nèi)；濺射時對濺射室溫度控制在室溫～300℃之間。。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備MnO2/C復(fù)合薄膜電極材料的方法，其特征在于：所述的濺射氣氛流量比Ar∶O2＝1∶1。
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