[發明專利]半導體裝置、發光裝置和電子設備有效
| 申請號: | 201110081419.0 | 申請日: | 2011-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN102208411A | 公開(公告)日: | 2011-10-05 |
| 發明(設計)人: | 松田邦宏;松本廣;田中幸一 | 申請(專利權)人: | 卡西歐計算機株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/786;G09G3/20 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;黃劍鋒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 發光 電子設備 | ||
1.一種半導體裝置,其具備:
基板;
第一晶體管,設置在上述基板的上表面,并具有第一源電極、第一漏電極以及第一柵電極;
第二晶體管,設置在上述基板的上表面,并具有第二源電極、第二漏電極以及第二柵電極;
源極連接布線,電連接上述第一源電極和上述第二源電極;
漏極連接布線,電連接上述第一漏電極和上述第二漏電極;以及
柵極連接布線,電連接上述第一柵電極和上述第二柵電極,
上述第一源電極和上述第一漏電極沿第一方向配置,上述第二源電極和上述第二漏電極沿上述第一方向且按與上述第一源電極和上述第一漏電極相反的順序配置,
上述源極連接布線和上述漏極連接布線設置在除了與上述第一柵電極、上述第二柵電極以及上述柵極連接布線重疊的區域之外的區域。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述第一晶體管和上述第二晶體管在上述基板上沿與上述第一方向正交的第二方向鄰接設置,
上述第一柵電極、上述第二柵電極以及上述柵極連接布線是設置在上述基板上的相同層的單一導體層。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
上述源極連接布線和上述漏極連接布線的一方具有:第一連接布線、以及設置在與上述第一連接布線不同的層并與上述第一連接布線電連接的第二連接布線,
上述源極連接布線和上述漏極連接布線的另一方具有設置在隔著絕緣膜與上述第一連接布線或上述第二連接布線的一方不同的層的第三連接布線。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中,
上述第一連接布線是設置在與上述第一源電極和上述第二源電極、或與上述第一漏電極和上述第二漏電極相同的層的導體層,
上述第二連接布線是隔著絕緣膜設置在上述第一源電極和上述第二源電極、或上述第一漏電極和上述第二漏電極的下層側的導體層,
上述第三連接布線是設置在與上述第一源電極和上述第二源電極、或與上述第一漏電極和上述第二漏電極相同的層的導體層。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,
上述第一晶體管和第二晶體管是反交錯構造的薄膜晶體管,
上述第二連接布線是設置在與上述第一柵電極和上述第二柵電極相同的層的導體層。
6.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中,
上述第一連接布線是隔著絕緣膜設置在上述第一源電極和上述第二源電極、或上述第一漏電極和上述第二漏電極的上層側的導體層,
上述第三連接布線是設置在與上述第一源電極和上述第二源電極、或與上述第一漏電極和上述第二漏電極相同的層的導體層。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,上述第一晶體管和上述第二晶體管是反交錯構造的薄膜晶體管。
8.一種發光裝置,具有在基板上排列的多個像素,其中,
上述各像素具有發光元件和連接于該發光元件并驅動該發光元件的驅動元件,
上述驅動元件具備:設置在上述基板的上表面并具有第一源電極、第一漏電極以及第一柵電極的第一晶體管;設置在上述基板的上表面并具有第二源電極、第二漏電極以及第二柵電極的第二晶體管;電連接上述第一源電極和上述第二源電極的源極連接布線;電連接上述第一漏電極和上述第二漏電極的漏極連接布線;以及電連接上述第一柵電極和上述第二柵電極的柵極連接布線,
上述第一源電極和上述第一漏電極沿第一方向配置,上述第二源電極和上述第二漏電極沿上述第一方向的反方向且按與上述第一源電極和上述第一漏電極相反的順序配置,
上述源極連接布線和上述漏極連接布線設置在除了與上述第一柵電極、上述第二柵電極以及上述柵極連接布線重疊的區域之外的區域。
9.根據權利要求8所述的發光裝置,其中,
上述第一晶體管和上述第二晶體管在上述基板上沿與上述第一方向正交的第二方向鄰接設置,
上述第一柵電極、上述第二柵電極以及上述柵極連接布線是設置在上述基板上的相同層的單一導體層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





