[發明專利]存儲器單端讀出電路

有效

• 申請號: 201110081024.0
• 申請日: 2011-03-25
• 公開（公告）號: CN102456386A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 鄭宏正;邱志杰;陸崇基;李政宏
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種具有單端讀出電路的存儲器，包括：

位線；

與位線連接的存儲器單元；以及

預充電電路，用于對位線預充電至電源電壓和地之間的預充電電壓。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其中，所述預充電電路包括NMOS晶體管，其預充電電壓等于所述電源電壓減去所述NMOS晶體管的閾值電壓。

3.根據權利要求2所述的存儲器，其中，所述NMOS晶體管的漏極與所述電源電壓連接，所述NMOS晶體管的源極與所述位線連接，所述NMOS晶體管的柵極與預充電信號連接；或者

所述預充電電路還包括PMOS晶體管，所述PMOS晶體管的源極與所述電源電壓連接，所述PMOS晶體管的漏極與位線條連接，所述PMOS晶體管的柵極與預充電信號路徑連接。

4.根據權利要求1所述的存儲器，還包括讀出電路，其中，所述讀出電路包括具有第一PMOS晶體管的NAND門以及電壓控制電路，所述電壓控制電路阻止所述第一PMOS晶體管在所述預充電電路對位線預充電時導通。

5.根據權利要求4所述的存儲器，其中，所述第一PMOS晶體管的源極具有與所述預充電電路對所述位線預充電時的預充電電壓相等的電壓；或者

所述電壓控制電路包括由預充電信號控制的第二PMOS晶體管，并且所述電壓控制電路還包括二極管連接晶體管。

6.根據權利要求1所述的存儲器，還包括上拉電路，所述上拉電路包括兩個交叉連接的PMOS晶體管，用于在進行讀取“1”的操作期間將所述位線從所述預充電電壓上拉至所述電源電壓。

7.一種讀取具有單端讀出電路的存儲器單元的方法，包括：

對與所述存儲器單元連接的位線預充電至電源電壓和地之間的預充電電壓；以及

在進行讀取“0”的操作期間，將所述位線選擇性地從所述預充電電壓下拉至地。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括在進行讀取“1”的操作期間，選擇性地將所述位線從所述預充電電壓上拉至所述電源電壓；或者

其中，對所述位線預充電包括預充電至所述電源電壓減去預充電電路中的NMOS晶體管的閾值電壓，并且還包括利用預充電信號控制所述NMOS晶體管；或者

所述方法還包括將與存儲器單元連接的位線條預充電至所述電源電壓。

9.根據權利要求7所述的方法，還包括：使用NAND門讀出所述位線；以及

在預充電期間，阻止所述NAND門中的PMOS晶體管導通，

其中，阻止PMOS晶體管導通包括在預充電期間，將與所述預充電電壓相同的電壓提供給所述PMOS晶體管的源極。

10.一種具有單端讀出電路的存儲器，包括：

位線；

位線條；

與所述位線連接的存儲器單元；

充電電路，包括NMOS晶體管和第一PMOS晶體管，對所述位線預充電至等于電源電壓減去NMOS晶體管的閾值電壓的預充電電壓，且對所述位線條預充電至所述電源電壓；以及

讀出電路，包括具有第二PMOS晶體管的NAND門以及電壓控制電路，當預充電電路對位線預充電時，所述電壓控制電路通過在所述預充電電路對所述位線預充電時向第二PMOS晶體管的源極提供與預充電電壓相同的電壓，來在所述預充電電路對所述位線預充電時阻止所述第二PMOS晶體管導通。