[發(fā)明專利]基于NMOS的OTP器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110076611.0 | 申請日： | 2011-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102723275A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡曉明 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 nmos otp 器件 制造 方法 | ||
1.一種基于NMOS的OTP器件的制造方法，其特征是，包括如下步驟：
第1步，在具有p阱的硅襯底上先生長一層氧化硅，再淀積一層多晶硅，刻蝕該層多晶硅以氧化硅作為刻蝕終點；刻蝕后剩余的多晶硅作為柵極，剩余的氧化硅作為柵氧化層；在多晶硅柵極兩側(cè)的氧化硅被部分刻蝕形成柵氧化層殘留；
第2步，在多晶硅柵極的僅一側(cè)下方的p阱中以輕摻雜漏注入工藝形成n型輕摻雜區(qū)，然后用LPCVD工藝中的HTO工藝在硅片表面形成一層襯墊氧化層；
第3步，采用濕法刻蝕工藝將多晶硅柵極兩側(cè)下方的襯墊氧化層和柵氧化層殘留去除；
第4步，在多晶硅柵極的側(cè)壁和硅片表面采用熱氧化生長工藝生長一層厚度的氧化硅，該層氧化硅作為隧穿氧化層；
第5步，在硅片表面淀積一層氮化硅，刻蝕后形成氮化硅側(cè)墻，在氮化硅側(cè)墻的外側(cè)下方的p阱中通過源漏注入工藝形成n型重?fù)诫s區(qū)即源漏注入?yún)^(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于NMOS的OTP器件的制造方法，其特征是，所述方法第4步中，所述熱氧化生長工藝為濕氧氧化工藝、或干氧氧化工藝、或兩者的結(jié)合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于NMOS的OTP器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中淀積的襯墊氧化層用來保護(hù)所述方法第3步中濕法刻蝕工藝對柵氧化層側(cè)壁的腐蝕。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
