[發明專利]一種氧化鋅納米薄膜的原位合成方法無效
| 申請號: | 201110076456.2 | 申請日: | 2011-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102181850A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | 李峰;范國利 | 申請(專利權)人: | 北京化工大學 |
| 主分類號: | C23C22/02 | 分類號: | C23C22/02 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 何俊玲 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化鋅 納米 薄膜 原位 合成 方法 | ||
1.一種氧化鋅納米薄膜的原位合成方法,具體制備步驟如下:
A.將鋅片分別用去乙醇和丙酮超聲清洗10min,除去表面的雜質和油污,然后用去離子水沖洗干凈,烘干備用;
B.將NaBH4或KBH4溶于溶劑配制濃度為0.5-2mol/L的反應溶液,所述溶劑是乙醇與水的等體積混合溶液;
C.將預處理好的鋅片懸置于反應溶液中,120-200℃放置6-48小時,之后取出鋅片用乙醇清洗,自然干燥,得到在鋅片表面原位生長的ZnO納米薄膜。
2.根據權利要求1所述的氧化鋅納米薄膜的原位合成方法,其特征是反應溶液NaBH4或KBH4的濃度為0.8-1.2mol/L;步驟C中反應溫度是170-180℃,反應時間是20-24小時。
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