[發明專利]形成鍺硅溝道以及PMOS晶體管的方法

有效

• 申請號: 201110076009.7
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102709162A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 吳兵;盧炯平;何永根
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底為硅基底或絕緣體上硅基底，所述基底上形成有淺溝槽隔離結構，相鄰的淺溝槽隔離結構之間為有源區域，所述有源區域包括源極區域、漏極區域以及溝道區域；

對所述溝道區域進行鍺等離子體摻雜形成鍺硅溝道。

2.如權利要求1所述的形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，在對所述溝道區域進行鍺等離子體摻雜形成鍺硅溝道步驟中，還包括對所述源極區域和漏極區域進行鍺等離子體摻雜，形成鍺硅源極區域和鍺硅漏極區域。

3.如權利要求1所述的形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，所述鍺硅溝道的厚度為5～8nm。

4.如權利要求1所述的形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，還包括：在鍺硅溝道上形成硅層，厚度范圍3～5nm。

5.如權利要求1～4任一項所述的形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，所述鍺等離子體的摻雜劑量為：9～90E15atoms/cm²。

6.如權利要求1所述的形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，所述硅基底或絕緣體上硅的晶面指數為(110)。

7.如權利要求2所述的形成鍺硅溝道的方法，其特征在于，對所述溝道區域進行鍺等離子體摻雜形成鍺硅溝道，對所述源極區域和漏極區域進行鍺等離子體摻雜，形成鍺硅源極區域和鍺硅漏極區域包括：

在所述基底表面形成掩膜層；

圖形化所述掩膜層，暴露出所述有源區域；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，對所述基底的有源區域進行鍺等離子體摻雜，在所述溝道區域形成鍺硅溝道，在所述源極區域和漏極區域形成鍺硅源極區域和鍺硅漏極區域。

8.一種形成PMOS晶體管的方法，其特征在于，包括：

利用權利要求1～7任一項所述的方法形成鍺硅溝道；

在所述鍺硅溝道上依次形成柵介質層和柵極；

對所述基底中的源極區域和漏極區域進行P型離子注入，形成源極和漏極。

9.如權利要求8所述的形成PMOS晶體管的方法，其特征在于，形成柵介質層和柵極之后、形成源極和漏極之前還包括：

對所述基底進行輕摻雜P型離子注入，形成輕摻雜源延伸區和輕摻雜漏延伸區，所述輕摻雜源延伸區和輕摻雜漏延伸區位于鍺硅溝道兩側、分別與源極區域和漏極區域相接。

10.如權利要求9所述的形成PMOS晶體管的方法，其特征在于，在形成輕摻雜源延伸區和輕摻雜漏延伸區之后，形成源極和漏極之前還包括：

在柵介質層和柵極周圍形成側墻。