[發明專利]一種集成觸摸板的LCD顯示面板結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201110075696.0
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102221756A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 唐李晟
• 申請（專利權）人: 彩虹集團公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/1335;G02F1/1333;G02F1/1343;H01L21/77
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種集成觸摸板的LCD顯示面板結構，包括LCD顯示面板的TFT玻璃基板及設置于該TFT玻璃基板上的濾色片，其特征在于，濾色片上集成了觸摸板的傳感電路，TFT玻璃基板與濾色片通過封接邊框封接構成觸摸識別功能的LCD顯示面板；

所述濾色片上集成了觸摸板的傳感電路，傳感電路的電極、絕緣層結構均由透明的薄膜材料組成，傳感電路位于TFT玻璃基板與濾色片的濾色層之間；

所述設置于TFT玻璃基板上的濾色片，包括在TFT玻璃基板表面自下而上依次附著的第一透明電極層、第二透明電極層、透明屏蔽電極層和濾色層；在第一透明電極層和第二透明電極層之間設有第一電絕緣層，在第二透明電極層和透明屏蔽電極層之間設有第二電絕緣層，在透明屏蔽電極層和濾色層之間設有第三電絕緣層；在濾色層表面設置透明公共電極層，透明公共電極層表面設置有透明的第四電絕緣層或配向層。

2.根據權利要求1所述的一種集成觸摸板的LCD顯示面板結構，其特征在于，所述濾色層為紅色R、綠色G、藍色B構成的濾色器。

3.根據權利要求1所述的一種集成觸摸板的LCD顯示面板結構，其特征在于，所述第一透明電極層與第二透明電極層均由具有鋸齒狀棱形突起的條形電極陣列組成，且第一透明電極層與第二透明電極層之間由面狀的透明電絕緣層電絕緣隔離。

4.根據權利要求1所述的一種集成觸摸板的LCD顯示面板結構，其特征在于，所述第一透明電極層的條狀電極的方向與第二透明電極層的條狀電極的方向呈正交排列，第一透明電極層條形電極上的棱形突起與第二透明電極層條形電極上的棱形突起在垂直于基板表面的方向上呈相互嵌套的方式排布；第二透明電級層表面的第二電絕緣層、透明屏蔽電極層、第三電絕緣層均為連續的面狀結構。

5.一種集成觸摸板的LCD顯示面板的制備方法，其特征在于，該方法包括下述步驟：

1)TFT玻璃基板經質量百分比5％NaOH溶液清洗后，使用濺射鍍膜工藝在TFT玻璃基板的表面鍍上一層透明的導電薄膜；

2)在透明導電膜層表面涂敷光致抗蝕劑，然后將第一透明電極層的圖形復制到光致抗蝕劑上，經堿性的溶液顯影，得到第一透明電極層的光致抗蝕劑電極圖形；在第一透明電極層光致抗蝕劑電極圖形表面噴淋酸性液體至TFT玻璃基板表面，再采用堿性的溶液全部剝離光致抗蝕劑，得到第一透明電極層的電極圖形；

3)在制作完成的第一透明電極層的表面濺射鍍制一層透明的電絕緣材料層，得到第一電絕緣層；

4)在第一電絕緣層表面再濺射鍍制一層透明導電薄膜，得到第二透明導電薄膜，第二透明導電薄膜厚度和阻值與第一透明導電薄膜一致；

5)在步驟4)的導電薄膜上采用步驟2)的工藝制作第二透明電極層圖形；

6)在第二透明電極層的表面采用濺射工藝鍍制第二電絕緣層，第二電絕緣層的厚度同第一電絕緣層；

7)在第二電絕緣層表面采用濺射鍍膜工藝鍍制一層透明導電薄膜，該透明導電薄膜的厚度和阻值與第一透明導電薄膜一致；并采用與步驟2)相同的工藝制作屏蔽電極層圖形，得到透明屏蔽電極層；

8)在透明屏蔽電極層表面采用步驟3)的濺射工藝鍍制一層透明的電絕緣層，得到第三電絕緣層；

9)在第三電絕緣層的表面涂敷三基色紅、藍、綠濾色器中的一種的漿料，然后采用曝光、顯影光刻工藝制作出濾色器的圖形構成濾色片上的濾色層；

10)在濾色層的表面采用與步驟1)的濺射鍍膜工藝鍍制透明的公共電極層；

11)在透明公共電極層的表面采用步驟3)的濺射鍍膜工藝鍍制第四電絕緣層，即得濾色片；

12)然后將制作完成的濾色片與LCD顯示面板的TFT玻璃基板封接到一起，即得集成了觸摸識別功能的LCD顯示面板。

6.根據權利要求5所述的一種集成觸摸板的LCD顯示面板的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中透明導電薄膜為銦錫氧化物ITO或鋅錫氧化物AZO；其膜厚為10～100nm，可見光透過率為80％-90％，方阻值為100-200Ω·□。

7.根據權利要求5所述的一種集成觸摸板的LCD顯示面板的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中酸性液體為飽和的鹽酸溶液與氯化鐵按照質量百分比為1∶1的比例混合的混和溶液或為20％的鹽酸與5％的硝酸的混合溶液。

8.根據權利要求5所述的一種集成觸摸板的LCD顯示面板的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中電絕緣材料為SiO₂，厚度為10～50nm。