[發明專利]半導體芯片內置配線基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201110075364.2
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102215639A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 近藤宏司;多田和夫;大谷祐司;鈴木俊夫;原田嘉治
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H05K3/34
• 分類號: H05K3/34;H05K1/18;H01L21/50;H01L21/603;H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體芯片內置配線基板的制造方法，該半導體芯片內置配線基板內置有半導體芯片，該半導體芯片在一個面上具有含有Al類材料的第1電極，其特征在于，

具備以下工序：

層疊工序，將包括在表面上形成有由Cu構成的導體圖案的樹脂薄膜和在通孔內填充有導電性糊的樹脂薄膜的多張樹脂薄膜層疊而成為層疊體，以使含有熱塑性樹脂的熱塑性樹脂薄膜至少隔1張地配置并鄰接于半導體芯片的電極形成面及該電極形成面的背面；以及

加壓加熱工序，通過將上述層疊體一邊加熱一邊從層疊方向上下進行加壓，使上述熱塑性樹脂軟化而將多張上述樹脂薄膜一起一體化并且將上述半導體芯片封固，將上述導電性糊中的導電性粒子作為燒結體，形成具有該燒結體和上述導體圖案的配線部；

在上述層疊工序中，將在上述第1電極上設有由Au構成的柱形凸點的上述半導體芯片、和由上述樹脂薄膜構成且作為上述導體圖案的一部分而形成有焊盤的第1薄膜，隔著作為上述熱塑性樹脂薄膜的第2薄膜地在上述柱形凸點與上述焊盤相對置的方向上配置；

在上述加壓加熱工序中，通過將上述焊盤與上述柱形凸點、以及上述第1電極與上述柱形凸點通過固相擴散接合來進行接合，形成構成上述焊盤的Cu與構成上述柱形凸點的Au的合金層、即CuAu合金層，并且，將上述第1電極的與上述柱形凸點對置的部位的厚度方向的Al全部AuAl合金化而使該第1電極為不含有Al的AuAl合金層。

2.如權利要求1所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

在上述加壓加熱工序中，形成主要含有Au₄Al合金的上述AuAl合金層。

3.如權利要求1所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

在上述加壓加熱工序中，形成含有CuAu₃合金的上述CuAu合金層。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

作為上述層疊工序的前工序，具備以下工序：

粘貼工序，對于包括上述第1薄膜的基板，通過加熱且加壓，將上述第2薄膜粘貼在上述基板的焊盤形成面上，以使得覆蓋上述焊盤；以及

倒裝片安裝工序，通過以構成上述第2薄膜的熱塑性樹脂的熔點以上的溫度加熱且加壓，一邊將上述第2薄膜熔融一邊將上述柱形凸點壓入，而將上述柱形凸點壓接在對應的上述焊盤上，并且通過熔融的上述第2薄膜將上述半導體芯片與上述基板之間封固。

5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

作為上述層疊工序的前工序而具備倒裝片安裝工序，該倒裝片安裝工序對于包括上述第1薄膜的基板，在焊盤形成面上粘貼有在對應于上述焊盤的位置設有貫通孔的上述第2薄膜的狀態下，通過以構成上述第2薄膜的熱塑性樹脂的玻璃轉移點以上的溫度加熱且加壓，使上述柱形凸點穿過上述貫通孔而壓接在對應的上述焊盤上，并且用軟化的上述第2薄膜將上述半導體芯片與上述基板之間封固。

6.如權利要求5所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

按照每個上述焊盤設置上述貫通孔。

7.如權利要求5所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

按照多個上述焊盤設置1個上述貫通孔。

8.如權利要求6所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

作為上述倒裝片安裝工序，包括以下工序：通過將與上述貫通孔的形成位置不同的位置加熱且加壓，從而將設有上述貫通孔的第2薄膜粘貼到上述基板的焊盤形成面。

9.如權利要求6所述的半導體芯片內置配線基板的制造方法，其特征在于，

作為上述倒裝片安裝工序，包括以下工序：通過加熱且加壓而將上述第2薄膜粘貼在上述基板的焊盤形成面上以使得覆蓋上述焊盤之后，在上述第2薄膜的對應于上述焊盤的位置形成貫通孔。