[發(fā)明專利]新型多層膜結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110075006.1
• 申請(qǐng)日: 2011-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN102157575A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竺云;李德軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/18;B32B17/06;C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 天津市杰盈專利代理有限公司 12207
• 代理人: 朱紅星

1.一種新型多層膜結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜，包括基板（1）、過渡層（2）、ITO層（3）和ZnO基薄膜層（4）；其特征在于：過渡層（2）設(shè)于基板（1）和ITO層（3）之間，ZnO基薄膜層（4）設(shè)于頂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜，其特征在于：所述的基板（1）為超白玻璃，所述的過渡層（2）為SiO₂或者SiN_x，其中x的值在0.1-1.5，所述的ITO層（3）為Sn摻雜In₂O₃的薄膜，所述的ZnO基薄膜層（4）摻雜的元素為Al、Ga或Zr中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜，其中過渡層（2）的厚度在10-100nm；ITO層（3）的厚度在10-1000nm；?ZnO基薄膜層（4）的厚度為50-1000nm。

4.一種制備權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述多層膜結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，包含如下的步驟：

A、采用真空沉積法，在所述基板（1）上依次沉積上過渡層（2）、ITO層（3）和ZnO基薄膜層（4），形成該氧化物薄膜半成品；

B、將步驟A所獲得的半成品，浸入酸腐蝕溶液中進(jìn)行腐蝕；

C、將步驟B中腐蝕后的樣品浸入清洗液進(jìn)行清洗并烘干，即獲得絨面結(jié)構(gòu)的多層膜結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟A中的真空沉積法為濺射方法，濺射沉積的氣體采用高純Ar氣，或采用高純Ar和O₂的混合氣體；過渡層（2）為SiN_x時(shí)，采用Ar和N₂的混合氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟A中過渡層（2）的沉積溫度為室溫~500℃，ITO層（3）的沉積溫度為室溫～300℃，ZnO基薄膜層（4）的沉積溫度在200℃～350℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A中多層膜薄膜為在線連續(xù)生長(zhǎng)，或離線多臺(tái)設(shè)備分步生長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，在所述步驟B進(jìn)行前，可依據(jù)現(xiàn)實(shí)需求加入表面前處理的單獨(dú)清洗步驟：將步驟A所獲得的半成品，用清洗液進(jìn)行清洗，然后烘干，清洗過程中，所用的清洗液為去離子水或商用電子清洗劑，溫度在5攝氏度到60攝氏度之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟B中酸腐蝕溶液為鹽酸、草酸及其它可用酸；酸的濃度為0.1wt%—1wt%；酸腐蝕溶液的腐蝕反應(yīng)時(shí)間為1秒—400秒；腐蝕溶液的溫度為10攝氏度到70攝氏度。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟C中的清洗液采用商用電子清洗劑或直接用去離子水；清洗過程中，所用的清洗液溫度在5攝氏度到60攝氏度之間。