[發明專利]一種非均勻超材料

有效

• 申請號: 201110074116.6
• 申請日: 2011-03-25
• 公開（公告）號: CN102694268A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 劉若鵬;徐冠雄;趙治亞;季春霖
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q15/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種非均勻超材料，其特征在于，包括：片狀基板以及設置在片狀基板中的多個小孔，所述片狀基板分成多個晶格，每一小孔置于一個晶格中形成一個單元。

2.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述超材料由多個片狀基板堆疊形成，每個片狀基板上均鉆有多個小孔，所有的小孔在空間中形成周期陣列。

3.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述小孔中的介質為空氣。

4.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述小孔在所述的片狀基板上呈周期性均勻分布。

5.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述的小孔的形狀為方形、圓柱形、圓錐形或圓臺形。

6.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述小孔通過打孔、蝕刻、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法在片狀基板上形成。

7.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述片狀基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制得。

8.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述小孔中填充有介質，所述介質材質與所述片狀基板的材質不相同。

9.如權利要求1所述的非均勻超材料，其特征在于，所述單元的等效介電常數ε與等效磁導率μ在片狀基板選定的情況下，改變小孔的形狀、設計尺寸和/或小孔在空間中的排列通過仿真而獲得數值。