[發明專利]具有薄膜晶體管的透反射液晶顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201110073432.1 | 申請日: | 2011-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN102236204A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 崔明旭;樸相禹;金成昱;尹大承;李銀英 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1335 | 分類號: | G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;李娜娜 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 薄膜晶體管 反射 液晶 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有薄膜晶體管的透反射液晶顯示裝置,所述透反射液晶顯示裝置包括:
裝置基底,具有反射區域和透射區域;
薄膜晶體管,形成在裝置基底的反射區域上并具有漏電極;
鈍化層,形成在薄膜晶體管上并暴露漏電極;
像素電極,以堆疊結構形成,像素電極包括第一像素電極和第二像素電極,第一像素電極電連接到漏電極,第二像素電極在第一像素電極上形成為具有浮雕圖案;
反射層,形成在第二像素電極上并形成在裝置基底的反射區域中。
2.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,第二像素電極由透明導電材料形成,第二像素電極的蝕刻速率比第一像素電極的蝕刻速率高。
3.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,第一像素電極由氧化銦錫、氧化錫或氧化銦鋅形成,第二像素電極由氧化鋅或氧化鋅與其他金屬的復合物形成。
4.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,浮雕圖案形成在裝置基底的反射區域和透射區域上。
5.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,浮雕圖案具有圓形形狀。
6.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,反射層的表面具有與反射層下部的浮雕圖案對應的圓形的凹入部分和凸起部分。
7.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,反射層由不透明導電材料形成。
8.如權利要求1所述的透反射液晶顯示裝置,其中,第二像素電極的厚度比第一像素電極的厚度厚。
9.一種制造具有薄膜晶體管的透反射液晶顯示裝置的方法,該方法包括以下步驟:
在具有反射區域和透射區域的裝置基底的反射區域上形成薄膜晶體管;
在薄膜晶體管上形成鈍化層,以暴露薄膜晶體管的漏電極并覆蓋薄膜晶體管;
在裝置基底的透射區域和反射區域上形成像素電極,形成像素電極的步驟包括形成第一像素電極和形成第二像素電極,第一像素電極電連接到漏電極,第二像素電極在第一像素電極上具有浮雕圖案;
在具有浮雕圖案的第二像素電極上形成反射層,反射層設置在裝置基底的反射區域中。
10.如權利要求9所述的方法,其中,在透射區域和反射區域上形成像素電極包括以下步驟:
在具有鈍化層的裝置基底上形成第一像素電極;
在第一像素電極上形成第二像素電極;
對第二像素電極執行噴霧式蝕刻工藝以在第二像素電極處形成浮雕圖案。
11.如權利要求10所述的方法,其中,在蝕刻工藝中將通過以1∶400比例混合的氟化氫和蒸餾水得到的稀釋的氟化氫用作蝕刻劑。
12.如權利要求9所述的方法,其中,第二像素電極由透明導電材料形成,第二像素電極的蝕刻速率比第一像素電極的蝕刻速率高。
13.如權利要求9所述的方法,其中,第一像素電極由氧化銦錫、氧化錫或氧化銦鋅形成,第二像素電極由氧化鋅或氧化鋅與其他金屬的復合物形成。
14.如權利要求9所述的方法,浮雕圖案具有圓形形狀。
15.如權利要求14所述的方法,其中,反射層的表面具有與反射層下部的浮雕圖案對應的圓形的凹入部分和凸起部分。
16.如權利要求9所述的方法,其中,反射層由不透明導電材料形成。
17.如權利要求9所述的方法,其中,鈍化層由無機絕緣材料形成。
18.如權利要求9所述的方法,其中,第二像素電極的厚度比第一像素電極的厚度厚。
19.如權利要求9所述的方法,其中,反射層形成在薄膜晶體管上。
20.一種具有薄膜晶體管的透反射液晶顯示裝置,所述透反射液晶顯示裝置包括:
裝置基底,具有反射區域和透射區域;
薄膜晶體管,形成在裝置基底的反射區域上并具有漏電極;
鈍化層,形成在薄膜晶體管上并暴露漏電極;
像素電極,形成在具有形成在薄膜晶體管上的鈍化層的裝置基底上,
其中,像素電極具有浮雕圖案,浮雕圖案形成在背離裝置基底的表面上。
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