[發明專利]平整化氮化物基板的方法有效
| 申請號： | 201110072117.7 | 申請日： | 2011-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN102586889A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 李威儀;陳奎銘;吳尹豪;葉彥顯 | 申請（專利權）人： | 財團法人交大思源基金會 |
| 主分類號： | C30B33/12 | 分類號： | C30B33/12;C30B33/10;C25F3/12;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中國臺灣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平整 氮化物 方法 | ||
1.一種平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一具有下方凸起的一氮化鎵基板；以及使用一干蝕刻方法蝕刻該具有下方凸起的該氮化鎵基板的一上方，藉以形成平整化的氮化物基板。
2.根據權利要求2所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中該干蝕刻方法所使用的一第一次蝕刻時間為7分鐘，后續的蝕刻時間以14分鐘進行累加。
3.一種平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一上方凸起獨立式氮化鎵基板；形成一層介電層于該上方凸起獨立式氮化鎵基板的上方；使用一濕式蝕刻方法以蝕刻該上方凸起獨立式氮化鎵基板的一下方；以及移除該介電層藉以形成平整化的氮化物基板。
4.根據權利要求3所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中該介電層還包含一金屬層。
5.根據權利要求3所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中該濕式蝕刻方法還包含電化學蝕刻方法。
6.一種平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一下方凸起獨立式氮化鎵基板；
形成一層介電層于該下方凸起獨立式氮化鎵基板的上方；使用一濕式蝕刻方法以蝕刻該下方凸起獨立式氮化鎵基板的一上方；以及移除該介電層藉以形成該平整化的氮化物基板。
7.根據權利要求6所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中該介電層還包含一金屬層。
8.根據權利要求6所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中該濕式蝕刻方法還包含電化學蝕刻方法。
9.一種平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一上方凸起氮化物磊晶層與一異質基板，其中該上方凸起氮化物磊晶層與該異質基板相互連結；以及蝕刻該異質基板的一下方，藉以形成平整化的氮化物基板。
10.根據權利要求9所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蝕刻該異質基板的該下方的蝕刻方法是由干式蝕刻、濕式蝕刻以及電化學蝕刻等方法群組中所選出。
11.一種平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一下方凸起氮化物磊晶層與一異質基板，其中該下方凸起氮化物磊晶層與該異質基板相互連結；以及蝕刻該異質基板的一上方，藉以形成平整化的氮化物基板。
12.根據權利要求11所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蝕刻該異質基板的該上方的蝕刻方法是由干式蝕刻、濕式蝕刻以及電化學蝕刻等方法群組中所選出。
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