[發明專利]實現氧化鋅納米線自組裝的方法

無效

• 申請號: 201110071916.2
• 申請日: 2011-03-24
• 公開（公告）號: CN102140037A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 張亞非;戴振清;魏良明;徐東;回兵
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C04B41/50
• 分類號: C04B41/50
• 代理公司: 上海交達專利事務所 31201
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征在于，通過將硅片表面依次進行羧基化和氨基化處理后，浸泡于經十二烷基硫酸鈉進行表面修飾后的氧化鋅納米線分散液，實現自組裝。

2.根據權利要求1所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的羥基化是指：配制濃度30wt％硫酸溶液和濃度98wt％的雙氧水溶液的混合溶液，其體積比為2.5∶1，將清洗好的硅片放入該溶液中，在90℃下煮2～3小時，煮完之后將硅片取出并用去離子水反復清洗，最后將硅片放入去離子水中，在80℃條件下煮20～30分鐘后，取出用氮氣吹干。

3.根據權利要求1所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的氨基化是指：在去離子水中加入3-氨丙基二乙氧基硅烷，并進行超聲處理10分鐘，之后將羥基化的硅片放入其中靜置10～15小時，靜置結束后加熱至80℃并保持1～2小時，接著取出硅片并清洗，最后將硅片真空退火。

4.根據權利要求3所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的3-氨丙基二乙氧基硅烷的用量為每100毫升去離子水中加入1～4毫升的3-氨丙基二乙氧基硅烷。

5.根據權利要求3所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的真空退火的溫度為120～180℃，退火時間為10～20小時。

6.根據權利要求1所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的表面修飾是指：將氧化鋅納米線放入去離子水中，同時向去離子水中添加十二烷基硫酸鈉，并進行超聲處理，使氧化鋅納米線在溶液中均勻分散，并使納米線在十二烷基硫酸鈉的修飾下表面帶上負電。

7.根據權利要求1所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的氧化鋅納米線的用量為每100毫升去離子水加入1～3毫克。

8.根據權利要求1所述的實現氧化鋅納米線自組裝的方法，其特征是，所述的十二烷基硫酸鈉的用量為每100毫升去離子水中加入0.01～0.10克十二烷基硫酸鈉。