[發明專利]摻鉺硅酸镥激光晶體及其制備方法

無效

• 申請號: 201110071323.6
• 申請日: 2011-03-23
• 公開（公告）號: CN102181931A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 丁雨憧;趙廣軍;董勤;陳建玉
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C30B29/34
• 分類號: C30B29/34;C30B15/00;C30B11/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種摻鉺硅酸镥激光晶體，其特征在于該晶體的分子式為：

(Er_xLu_1-x)₂SiO₅，其中x的取值范圍為0.005～0.01。

2.權利要求1所述的摻鉺硅酸镥激光晶體的制備方法，其特征在于該方法包括下列步驟：

①初始原料采用Er₂O₃，Lu₂O₃和SiO₂，選定x的取值后，根據摻鉺硅酸镥激光晶體的分子式(Er_xLu_1-x)₂SiO₅，按摩爾比x∶(1-x)∶1進行配料，精確稱量各原料；

②將原料充分混合均勻后在液壓機上壓制成塊，然后裝入氧化鋁坩堝內，放進馬弗爐中燒結，用10個小時升溫至1200℃，保溫10個小時后再用10個小時降溫至室溫；

③將塊料取出放入坩堝內，采用熔體法生長摻鉺硅酸镥激光晶體。

3.根據權利要求2所述的摻鉺硅酸镥激光晶體的制備方法，其特征在于所述的熔體法為提拉法，所述的坩堝為銥坩堝，籽晶為b軸的Lu₂SiO₅單晶棒，晶體生長在高純N₂氣氛中進行，采用中頻感應加熱至～2150℃使原料完全融化，然后通過重量傳感控制晶體生長尺寸。提拉速度為1～3mm/h，旋轉速度為15～30rpm。

4.根據權利要求2所述的摻鉺硅酸镥激光晶體的制備方法，其特征在于所述的熔體法為溫度梯度法，所述的坩堝為鉬坩堝，坩堝底放入b向Lu₂SiO₅單晶棒作為籽晶，晶體生長在高純N₂氣氛中進行，用石墨電阻持續升溫至2150℃，并保持0.5～2小時后，以1～3℃/h的降溫速率進行降溫并生長晶體。