[發明專利]封裝載板及其制作方法有效
| 申請號: | 201110071243.0 | 申請日: | 2011-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN102629560A | 公開(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發明(設計)人: | 孫世豪 | 申請(專利權)人: | 旭德科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/34;H01L23/485;H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 臺灣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝載 及其 制作方法 | ||
1.一種封裝載板的制作方法,包括:
提供一基板,該基板具有上表面以及相對于該上表面的下表面;
形成一連通該基板的該上表面與該下表面的第一開口;
配置一導熱元件于該基板的該第一開口內,其中該導熱元件通過一絕緣材料而固定于該基板的該第一開口內,且該導熱元件具有一頂表面以及一相對于該頂表面的底表面;
壓合一第一絕緣層以及一位于該第一絕緣層上的第一金屬層于該基板的該上表面上,以及壓合一第二絕緣層以及一位于該第二絕緣層上的第二金屬層于該基板的該下表面上,其中該第一絕緣層位于該基板與該第一金屬層之間且覆蓋該導熱元件的該頂表面及部分該絕緣材料,而該第二絕緣層位于該基板與該第二金屬層之間且覆蓋該導熱元件的該底表面及部分該絕緣材料;
形成一貫穿該第一金屬層與該第一絕緣層且暴露出部分頂表面的第二開口,以及形成一貫穿該第二金屬層與該第二絕緣層且暴露出部分該底表面的第三開口;
形成至少一貫穿該第一金屬層、該第一絕緣層、該基板、該第二絕緣層以及該第二金屬層的孔道;
形成一第三金屬層以覆蓋該第一金屬層、暴露于該第二開口之外的部分該頂表面及部分該第一絕緣層、該第二金屬層、暴露于該第三開口之外的部分該底表面及部分該第二絕緣層以及該孔道的內壁;
形成一防焊層于該第三金屬層上;以及
形成一表面保護層,包覆暴露于該防焊層之外的該第三金屬層以及位于該孔道的內壁上的該第三金屬層。
2.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,其中該基板包括第一銅箔層、第二銅箔層以及核心介電層,該核心介電層配置于該第一銅箔層與該第二銅箔層之間。
3.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,還包括:
配置該導熱元件于該基板的該第一開口內之前,形成一種子層于該第一銅箔層、該第二銅箔層以及該第一開口的內壁上。
4.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,其中該基板包括金屬板以及至少一絕緣塊,而該金屬板具有該第一開口。
5.如權利要求4所述的封裝載板的制作方法,還包括:
在壓合該第一絕緣層及該第一金屬層于該基板的該上表面上,以及壓合該第二絕緣層及該第二金屬層于該基板的該下表面上之前,形成至少一貫穿該金屬板且連接該上表面與該下表面的貫孔;以及
在形成該貫孔之后,形成該絕緣塊于該基板的該貫孔內。
6.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,其中該導熱元件包括第一導電層、第二導電層以及絕緣材料層,且該絕緣材料層位于該第一導電層與該第二導電層之間。
7.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,其中該導熱元件的材質包括陶瓷、硅、碳化硅、鉆石或金屬。
8.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,其中該導熱元件的熱膨脹系數小于該基板的熱膨脹系數,而該導熱元件的熱傳導系數大于該基板的熱傳導系數。
9.如權利要求1所述的封裝載板的制作方法,其中形成該第三金屬層的方法包括電鍍法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





