[發明專利]殼體及其制造方法

無效

• 申請號: 201110070429.4
• 申請日: 2011-03-23
• 公開（公告）號: CN102691062A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;陳曉強
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種殼體，包括鋁或鋁合金基體，其特征在于：該殼體還包括依次形成于該鋁或鋁合金基體上的鋁膜層和防腐蝕膜層，該防腐蝕膜層為氧化鋁梯度膜，其摻雜銥金屬離子，所述氧化鋁梯度膜中氧原子的百分含量由靠近鋁或鋁合金基體至遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度增加，所述銥金屬離子的摻雜方式為離子注入。

2.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述防腐蝕膜層的厚度為0.5～2.0μm。

3.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述鋁膜層的厚度為100～300nm。

4.一種殼體的制造方法，其包括如下步驟：

提供鋁或鋁合金基體；

于該鋁或鋁合金基體的表面磁控濺射鋁膜層；

于鋁膜上磁控濺射氧化鋁梯度膜，該氧化鋁梯度膜中氧原子的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體至遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度增加；

于氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子，形成防腐蝕膜層。

5.如權利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于：磁控濺射所述氧化鋁梯度膜的工藝參數為：以氬氣為工作氣體，其流量為100～300sccm，以氧氣為反應氣體，設置氧氣的初始流量為10～20sccm，在鋁或鋁合金基體上施加-150～-500V的偏壓，每沉積10～15min將氧氣的流量增大10～20sccm，沉積時間控制為30～90min。

6.如權利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于：對氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子的工藝參數為：設置真空度為1×10^-4Pa，離子源電壓為30～100kV，離子束流強度為0.1～5mA，控制銥離子注入劑量在1×10¹⁶ions/cm²到1×10¹⁸ions/cm²之間。

7.如權利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于：沉積所述鋁膜層的工藝參數為：以鋁靶為靶材，對該鍍膜室進行抽真空，設置真空度為8.0×10^-3Pa，通入氬氣100～300sccm，開啟鋁靶，設置鋁靶功率為2～8kw，設置基體的偏壓為-300～-500V，沉積5～10分鐘。

8.如權利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于：所述殼體的制造方法還包括在沉積所述鋁膜層之前對鋁或鋁合金基體進行等離子體清洗的步驟。