[發明專利]熱電式光檢測器、熱電式光檢測裝置以及電子設備無效
| 申請號: | 201110069894.6 | 申請日: | 2011-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN102200473A | 公開(公告)日: | 2011-09-28 |
| 發明(設計)人: | 野田貴史;瀧澤順 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | G01J1/02 | 分類號: | G01J1/02 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱電 檢測器 檢測 裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種熱電式光檢測器,其特征在于,包括:
電容器,在第一電極與第二電極之間包括熱電體,且極化量隨溫度而變化;
支撐部件,包括第一面和與所述第一面相對的第二面,所述第一面面對空腔部,在所述第二面上安裝并支撐所述電容器;以及固定部,用于支撐所述支撐部件,
其中,配置在所述第二面上的所述第一電極的熱導率小于所述第二電極的熱導率。
2.根據權利要求1所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一電極厚于所述第二電極。
3.根據權利要求2所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一電極、所述第二電極以及所述熱電體沿指定的結晶面優先取向,
所述第一電極具有使所述熱電體沿所述指定的結晶面優先取向的晶種層,
所述第二電極在與所述熱電體接觸的位置上具有結晶取向與所述熱電體匹配的取向匹配層,且所述晶種層厚于所述取向匹配層。
4.根據權利要求3所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一電極在所述支撐部件與所述晶種層之間還包括取向控制層,所述取向控制層控制所述晶種層沿所述指定的結晶面優先取向。
5.根據權利要求4所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一電極在所述晶種層與所述取向控制層之間還包括對還原氣體具有阻擋性的第一還原氣體阻擋層。
6.根據權利要求5所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一電極在所述取向控制層與所述支撐部件之間還包括粘結層。
7.根據權利要求5或6所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第二電極在所述取向匹配層與所述熱電體接觸的面的反面上還包括對還原氣體具有阻擋性的第二還原氣體阻擋層。
8.根據權利要求7所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第二電極在所述第二還原氣體阻擋層與所述取向控制層接觸的面的反面上還包括低電阻層,
所述取向控制層和所述低電阻層由相同的材料形成,所述取向控制層厚于所述低電阻層。
9.根據權利要求7或8所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一還原氣體阻擋層和所述第二還原氣體阻擋層由相同的材料形成,所述第一還原氣體阻擋層厚于所述第二還原氣體阻擋層。
10.根據權利要求7或8所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述第一還原氣體阻擋層和所述第二還原氣體阻擋層由相同的材料形成,所述第二還原氣體阻擋層厚于所述第一還原氣體阻擋層。
11.根據權利要求3至10中任一項所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
所述指定的結晶面是(111)面。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的熱電式光檢測器,其特征在于,
在所述熱電式光檢測器中還設置有光吸收部件,所述光吸收部件在從所述電容器的所述第二電極側入射的光入射路徑上配置在所述電容器的上游側,所述光吸收部件用于將吸收光而得到的熱傳遞給所述電容器,
所述第二電極使透過了所述光吸收部件的光反射至所述光吸收部件。
13.一種熱電式光檢測裝置,其特征在于,
在所述熱電式光檢測裝置中,根據權利要求1至12中任一項所述的熱電式光檢測器沿兩軸方向二維配置。
14.一種電子設備,其特征在于,
所述電子設備包括:根據權利要求1至12中任一項所述的熱電式光檢測器。
15.一種電子設備,其特征在于,
所述電子設備包括:根據權利要求13所述的熱電式光檢測裝置。
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