[發明專利]扇出系統級封裝方法

有效

• 申請號: 201110069815.1
• 申請日: 2011-03-22
• 公開（公告）號: CN102176418A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 陶玉娟;石磊
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京市惠誠律師事務所 11353
• 代理人: 雷志剛;潘士霖

1.扇出系統級封裝方法，其特征在于，包括步驟：

提供載板；在載板上形成剝離膜；

在剝離膜上形成第一保護層，并在第一保護層上形成設計的光刻圖形開口；在第一保護層的表面及其光刻圖形開口中形成再布線金屬層；在第一保護層上形成帶有部分暴露再布線金屬層開口的第二保護層；

在第二保護層上形成至少一組布線封裝層，形成所述布線封裝層的步驟包括依次形成貼裝層、封料層和布線層，布線封裝層透過布線層與再布線金屬層導通；在布線封裝層上形成至少一組引線鍵合封裝層，形成引線鍵合封裝層的步驟包括依次形成貼裝層、引線鍵合和封料層；其中各組封裝層之間相互電連接；

去除載板及剝離膜，裸露出第一保護層中的再布線金屬；在裸露的再布線金屬上形成金屬焊球。

2.如權利要求1所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于，在第二保護層上形成二組布線封裝層的具體步驟包括：

將包括芯片和無源器件的第一貼裝層的功能面的相對一面貼于第二保護層上；將第二保護層上貼有第一貼裝層的一面形成第一封料層，使第一貼裝層中芯片和無源器件的功能焊盤裸露；在第一封料層中形成第一微通孔，并將第一微通孔金屬化填充形成與再布線金屬層導通的第一縱向金屬布線；在第一封料層上形成與第一縱向金屬布線連接的第一橫向金屬布線，第一縱向金屬布線與第一橫向金屬布線構成第一布線層；

在第一封料層上堆疊第二貼裝層；在第一封料層上形成覆蓋第二貼裝層的第二封料層，并暴露第二貼裝層中芯片和無源器件的焊盤；在第二封料層中形成第二微通孔并將第二微通孔金屬化填充形成與第一布線層連接的第二縱向金屬布線；在第二封料層上形成與第二縱向金屬布線連接的第二橫向金屬布線，第二縱向金屬布線與第二橫向金屬布線構成第二布線層。

3.如權利要求2所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于，在第二布線封裝層上形成一組引線鍵合封裝層的具體步驟包括：

在第二封料層上貼裝第三貼裝層；將第三貼裝層中芯片的焊盤與第二布線層用金屬引線實現電互聯；在第二封料層上形成覆蓋第三貼裝層的第三封料層，使第三貼裝層及金屬引線被第三封料層的塑封料包覆密封。

4.如權利要求2所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：所述橫向金屬布線將其所在封料層中芯片和/或無源器件導通互聯。

5.如權利要求1～3任意一權利要求所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：各組封裝層之間透過封料層中的布線層和金屬引線來實現相鄰貼裝層或間隔貼裝層間的電互聯。

6.如權利要求1所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：所述載板為硅晶圓或玻璃載板。

7.如權利要求1所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：所述剝離膜為UV膠。

8.如權利要求1所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：形成剝離膜的方法為旋涂或印刷。

9.如權利要求1所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：形成所述保護層的材料為聚酰亞胺或苯并環丁烯。

10.如權利要求1所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：形成再布線金屬層的方法為電鍍、化鍍或濺射。

11.如權利要求1～3任意一權利要求所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：所述貼裝層中包括芯片或包括芯片和無源器件。

12.如權利要求11任意一權利要求所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：所述貼裝層中還包括電容、電阻或電感中的一種或多種。

13.如權利要求1～3任意一權利要求所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：封料層的材料為環氧樹脂。

14.如權利要求13所述的扇出系統級封裝方法，其特征在于：封料層通過印刷、壓縮或轉注的方法而形成。