[發(fā)明專利]鍍膜件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110067216.6
• 申請日: 2011-03-21
• 公開（公告）號: CN102691043A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;王瑩瑩
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的打底層，其特征在于：該鍍膜件還包括形成于打底層表面的金屬銥層、形成于金屬銥層表面的氮氧化鉻層及形成于氮氧化鉻層表面的氮化鉻層。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基材的材質為模具鋼。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述打底層為鉻層，其以磁控濺射的方式形成，厚度為20～50nm。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述金屬銥層以磁控濺射的方式形成，該金屬銥層的厚度為10～30nm。

5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述氮氧化鉻層以磁控濺射的方式形成，該氮氧化鉻層的厚度為50～500nm。

6.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述氮化鉻層以磁控濺射的方式形成，該氮化鉻層的厚度為20～80nm。

7.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供一基材；

在基材表面形成打底層；

在該打底層的表面形成金屬銥層；

在該金屬銥層表面形成氮氧化鉻層；

在該氮氧化鉻層的表面形成氮化鉻層。

8.如權利要求7所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述打底層為鉻層，形成所述打底層的步驟采用如下方式實現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用金屬鉻靶，鉻靶的功率為3～8kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為100～150sccm，基材偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為80～120℃，鍍膜時間為5～10min。

9.如權利要求7所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：形成所述金屬銥層的步驟采用如下方式實現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用金屬銥靶，銥靶的功率為3～8kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為100～150sccm，基材偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為80～120℃，鍍膜時間為5～10min。

10.如權利要求7所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成氮氧化鉻層的步驟采用如下方式實現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用金屬鉻靶，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為50～100sccm，氮氣流量為100～300sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為100～150sccm，基材偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為80～120℃，鍍膜時間為30～100min。

11.如權利要求7所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成氮化鉻層的步驟采用如下方式實現(xiàn)：采用磁控濺射法，使用金屬鉻靶，以氮氣為反應氣體，氮氣流量為100～300sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為100～150sccm，基材偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為80～120℃，鍍膜時間為10～20min。