[發明專利]托盤、腔室裝置和外延設備

有效

• 申請號: 201110066937.5
• 申請日: 2011-03-18
• 公開（公告）號: CN102677164A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 張慧;徐亞偉
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12;C30B25/08
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種托盤，其特征在于，包括：托盤本體，所述托盤本體上具有環形基片承載區，所述環形基片承載區的熱傳導率在所述托盤本體的徑向方向上由內向外降低。

2.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，所述環形基片承載區的熱傳導率在所述徑向方向上由內向外逐漸降低。

3.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，所述環形基片承載區的熱傳導率在所述徑向方向上由內向外以梯度方式降低。

4.根據權利要求3所述的托盤，其特征在于，所述托盤本體由石墨一體制成。

5.根據權利要求4所述的托盤，其特征在于，所述環形基片承載區在所述徑向方向上分為第一環形基片承載區和位于所述第一環形基片承載區外面的第二環形基片承載區，所述第一環形基片承載區上設置有涂層，且所述涂層的熱傳導率大于石墨的熱傳導率。

6.根據權利要求5所述的托盤，其特征在于，所述涂層為SiC涂層、氮化硼涂層、和碳化鉭涂層之一。

7.根據權利要求4所述的托盤，其特征在于，所述環形基片承載區在所述徑向方向上由內向外依次分為第一環形基片承載區、第二環形基片承載區、和第三環形基片承載區，所述第一環形基片承載區上設置有第一涂層，所述第二環形基片承載區上設置有第二涂層，所述第一涂層的熱傳導率大于所述第二涂層的熱傳導率，且所述第一涂層的熱傳導率和所述第二涂層的熱傳導率均大于石墨的熱傳導率。

8.根據權利要求7所述的托盤，其特征在于，所述第一涂層為氮化硼涂層，所述第二涂層為碳化鉭涂層。

9.根據權利要求3所述的托盤，其特征在于，所述托盤本體包括第一至第五托盤本體部，所述第一至第五托盤本體部在所述徑向方向上由內向外依次套設且相鄰的托盤本體部彼此結合，其中第二至第四托盤本體部的上表面制成所述環形基片承載區，且所述第二至第四托盤本體部的熱傳導率依次減小。

10.根據權利要求9所述的托盤，其特征在于，所述第一托盤本體部由石英制成，所述第二托盤本體部由氮化硼制成，所述第三托盤本體部由碳化鉭制成，所述第四和第五托盤本體部由石墨制成。

11.根據權利要求9所述的托盤，其特征在于，所述第四和第五托盤本體部成一體。

12.根據權利要求9所述的托盤，其特征在于，所述相鄰的托盤本體部通過臺階狀結構結合。

13.一種腔室裝置，其特征在于，包括：

腔室本體，所述腔室本體內限定有工藝腔室；

多層托盤，所述多層托盤沿上下方向間隔開設置在所述工藝腔室內，其中所述托盤為權利要求1-12中任一項所述的托盤。

14.一種外延設備，其特征在于，包括：

權利要求13所述的腔室裝置；和

感應線圈，所述感應線圈沿周向纏繞在所述腔室裝置的腔室本體外面。