[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110066929.0
• 申請日: 2011-03-18
• 公開（公告）號: CN102683210B
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/311;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 11370 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 朱海波

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法包括以下步驟：

a)提供襯底(100)，在所述襯底(100)上形成有源區(qū)，在所述有源區(qū)上形成柵堆疊或偽柵堆疊，在所述柵堆疊或偽柵堆疊兩側(cè)形成源極延伸區(qū)(110a)以及漏極延伸區(qū)(110b)，在所述柵堆疊或偽柵堆疊側(cè)壁形成側(cè)墻，以及在所述側(cè)墻和所述柵堆疊或偽柵堆疊外的所述有源區(qū)上形成源極(111a)和漏極(111b)；

b)僅在所述源極側(cè)的有源區(qū)的上表面形成第一接觸層(112a)，而在所述漏極側(cè)的有源區(qū)的上表面沒有形成第一接觸層；

c)形成層間介質(zhì)層(300)，以覆蓋所述襯底(100)；

d)刻蝕所述層間介質(zhì)層(300)以形成接觸孔(310)，所述接觸孔(310)至少暴露漏極側(cè)的部分有源區(qū)；

e)在所述部分有源區(qū)上形成第二接觸層(112b)，所述第二接觸層(112b)與柵堆疊的距離大于所述第一接觸層(112a)與柵堆疊的距離，所述第二接觸層的厚度大于所述第一接觸層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述步驟b)之前還包括：

f)對稱地去除所述側(cè)墻的至少一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述步驟b)包括：

通過保護(hù)層(330)覆蓋所述漏極側(cè)的有源區(qū)；

沉積第一金屬層(250)以覆蓋所述源極側(cè)的有源區(qū)；

執(zhí)行退火操作，以使所述第一金屬層(250)與所述源極側(cè)的有源區(qū)發(fā)生反應(yīng)形成第一接觸層(112a)；

去除未反應(yīng)的所述第一金屬層(250)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中：

所述第一金屬層(250)的材料為Co、Ni和NiPt之一或其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中：

如果所述第一金屬層(250)的材料為Co，則Co的厚度小于5nm；

如果所述第一金屬層(250)的材料為Ni，則Ni的厚度小于4nm；以及

如果所述第一金屬層(250)的材料為NiPt，則NiPt的厚度小于3nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其中：

如果所述第一金屬層(250)的材料為NiPt，則NiPt中Pt的含量小于5％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟e)包括：

沉積第二金屬層(260)以覆蓋所述部分有源區(qū)；

執(zhí)行退火操作，以使所述第二金屬層(260)與所述部分有源區(qū)發(fā)生反應(yīng)形成第二接觸層(112b)；

去除未反應(yīng)的所述第二金屬層(260)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中：

所述第二金屬層(260)的材料包括Ni、NiPt中的一種或其組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述第一接觸層(112a)為CoSi₂、NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y中的一種或其組合，且所述第一接觸層(112a)的厚度小于10nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述第二接觸層(112b)包括NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y中的一種。