[發明專利]一種TFT陣列基板、及其制作方法和制造設備

無效

• 申請號: 201110066710.0
• 申請日: 2011-03-18
• 公開（公告）號: CN102655115A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 張金中
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L21/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵絕緣層；

在第一化學氣象淀積腔體內，對所述柵絕緣層通H₂進行表面處理，之后，在所述柵絕緣層上沉積第一非晶硅有源層；

在內部充有高壓N₂和H₂的第二化學氣象淀積腔體內，對所述第一非晶硅有源層進行退火處理；

退火處理之后，在所述第一化學氣象淀積腔體內，在所述第一非晶硅有源層上分別沉積第二非晶硅有源層和第三非晶硅有源層，在所述第三非晶硅有源層上沉積P摻雜n+非晶硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述第一非晶硅有源層包括：

所述第一非晶硅有源層的沉積功率為150W～300W；

SiH₄氣體流量為500sccm～750sccm；

H₂氣體流量為2500sccm～4000sccm；

沉積氣壓為1600mtorr～2200mtorr；

所述第一非晶硅有源層的沉積厚度為

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉積所述第一非晶硅有源層包括：

所述第一非晶硅有源層的沉積功率為200W；

SiH₄氣體流量為550sccm；

H₂氣體流量為3000sccm；

沉積氣壓為1800mtorr；

所述第一非晶硅有源層的沉積厚度為

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二化學氣象淀積腔體內進行完退火處理后，在35s～65s的時間內將所述基板轉入所述第一化學氣象淀積腔體內。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述退火處理的退火溫度為250℃～350℃；

所述退火處理的退火時間為240s～420s。

6.根據權利要求1或5所述的方法，其特征在于，

所述退火處理的退火溫度為300℃；

所述退火處理的退火時間為300s。

7.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成有柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有經退火處理的第一非晶硅有源層；

在所述第一非晶硅有源層上分別形成有第二非晶硅有源層和第三非晶硅有源層；

在所述第三非晶硅有源層上形成有P摻雜n+非晶硅層。

8.根據權利要求7所述的TFT陣列基板，其特征在于，形成所述第一非晶硅有源層包括：

所述第一非晶硅有源層的沉積功率為150W～300W；

SiH₄氣體流量為500sccm～750sccm；

H₂氣體流量為2500sccm～4000sccm；

沉積氣壓為1600mtorr～2200mtorr；

所述第一非晶硅有源層的沉積厚度為

9.根據權利要求7或8所述的TFT陣列基板，其特征在于，形成所述第一非晶硅有源層包括：

所述第一非晶硅有源層的沉積功率為200W；

SiH₄氣體流量為550sccm；

H₂氣體流量為3000sccm；

沉積氣壓為1800mtorr；

所述第一非晶硅有源層的沉積厚度為

10.根據權利要求7所述的TFT陣列基板，其特征在于，

所述退火處理的退火溫度為250℃～350℃；

所述退火處理的退火時間為240s～420s。

11.根據權利要求7或10所述的TFT陣列基板，其特征在于，

所述退火處理的退火溫度為300℃；

所述退火處理的退火時間為300s。