[發明專利]一種超材料單元結構的推演方法和裝置無效
| 申請號: | 201110066495.4 | 申請日: | 2011-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN102682141A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 劉若鵬;欒琳;劉斌;趙治亞 | 申請(專利權)人: | 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 材料 單元 結構 推演 方法 裝置 | ||
【技術領域】
本發明涉及超材料領域,尤其涉及一種超材料單元結構的推演方法和裝置。
【背景技術】
超材料的設計與應用遠超出一般材料,其復雜性和大規模數據的級別比一般材料高出幾個數量級。
超材料所提供的特殊功能,都是取決于它異常復雜的單元結構,每個超材料單元結構由一個參數組來定義,每個參數組包含多個屬性參數,例如超材料單元結構的長、寬、高、厚度、介電常數、材料材質等。其電磁響應參數是多維的,每改變一個屬性參數都將改變其最終的電磁響應函數,如何尋找最佳的超材料單元結構屬性參數,使它的電磁響應函數符合超材料的目標電磁響應函數,是全球科研人員一直在努力探索的。
傳統的超材料單元結構體設計方法是,通過手動逐一改變每個單元結構的屬性參數,測試某一頻率的電磁波通過該單元結構后的電磁響應函數,并與目標電磁響應函數進行對比,如此不斷循環,最終找到與目標電磁響應函數最為相近的超材料單元結構屬性參數。調整屬性參數是一項非常耗時的步驟,為了達到超材料設計的超高要求和特殊的電磁響應函數,超材料單元結構參數的微調單位可能達到毫米級,甚至微米級、納米級,同時每個超材料可能包括上萬甚至上億個這樣的超材料單元結構,其工作量可想而知。
傳統的超材料設計方法對人力、物力、時間都有極大的要求,如何縮短時間對提高超材料設計效率有著至關重要的作用。
【發明內容】
本發明針對現有技術,只能通過手動調節超材料單元結構,而導致低效率的缺陷,提供了一種單元結構的推演方法。
本發明提供一種單元結構的推演方法,單元結構由一組幾何參數來定義,方法包括以下步驟:
S1:預設單元結構的幾何參數的數值范圍;
S2:在預設的數值范圍內,選擇多個試驗點,每個試驗點對應一組幾何參數;
S3:預設單元結構對應的適應度函數;
S4:采用優化搜索方法,在幾何參數空間搜索最優參數值,使得適應度函數最大。
在本發明的單元結構推演方法中,在步驟S2中,使用正交試驗設計原理實現。
在本發明的單元結構推演方法中,隨機優化算法為粒子群優化算法或者蒙特卡洛采樣方法。
在本發明的單元結構推演方法中,目標函數為常數。
在本發明的單元結構推演方法中,適應度函數y(g)等于或者其中,g表示單元結構幾何參數,S(g)表示單元結構幾何參數g所對應的電磁響應參數值,目標函數Starget為單元結構對應的最優電磁響應參數值。
本發明還涉及一種單元結構的推演裝置,單元結構由一組幾何參數來定義,包括以下模塊:
初始化模塊:用于預設單元結構的幾何參數的數值范圍;
試驗點選定模塊:用于在初始化模塊預設的數值范圍內,選擇多個試驗點,每個試驗點對應一組幾何參數;
目標函數設定模塊:用于預設單元結構對應的適應度函數;
優化搜索模塊:采用優化搜索方法,在幾何參數空間搜索最優參數值,使得適應度函數最大。
在本發明的單元結構的推演裝置中,在試驗點選定模塊中使用正交試驗設計原理實現。
在本發明的單元結構的推演裝置中,在優化搜索模塊中,隨機優化算法為粒子群優化算法(PSO,Particle?Swarm?Optimization)或者蒙特卡洛采樣方法。
在本發明的單元結構的推演裝置中,適應度函數y(g)等于或者其中,g表示單元結構幾何參數,S(g)表示單元結構幾何參數g所對應的電磁響應參數值,目標函數Starget為單元結構對應的最優電磁響應參數值。
在本發明的單元結構的推演裝置中,目標函數為常數。
本發明提供了一種超材料單元結構的推演方法和裝置,針對現有技術效率低下等問題,通過最優計算方法在單元結構的幾何參數空間搜索最優參數值,從而大大提高了超材料單元結構參數設計的效率。
【附圖說明】
圖1是本發明對超材料單元結構的推演方法的流程圖。
【具體實施方式】
下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細說明。
參見圖1所示,單元結構由一組幾何參數來定義,方法包括以下步驟:
S1:預設單元結構的幾何參數的數值范圍;
在本實施例中,在定義了選定的超材料單元結構后,預設各參數的范圍。例如,選定“工”字型,則其對應的幾何參數為g=[a,b,w];然后再設定各個參數的數值范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司,未經深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110066495.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





