[發明專利]薄膜晶體管的制作方法

無效

• 申請號: 201110066417.4
• 申請日: 2011-03-19
• 公開（公告）號: CN102157386A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 姜信銓;賴宥豪;李懷安
• 申請（專利權）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于該基板上形成一閘極電極；

于該基板上形成一閘極介電層；

于該基板上形成一圖案化氧化物半導體層；

于該基板上形成一源極電極與一汲極電極；以及

進行一局部雷射處理，利用一激光束照射部分的該圖案化氧化物半導體層，以使得被該激光束照射的該圖案化氧化物半導體層的電阻率小于未被該激光束照射的該圖案化氧化物半導體層的電阻率，且使至少部分經過該激光束照射的該圖案化氧化物半導體層與該源極電極或該汲極電極接觸。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述源極電極/汲極電極是于該圖案化氧化物半導體層之前形成，且該局部雷射處理是于該源極電極/汲極電極形成之前進行。

3.?根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述圖案化氧化物半導體層是于該源極電極/汲極電極之前形成，且該局部雷射處理是于該源極電極/汲極電極形成之后進行。

4.?根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述圖案化氧化物半導體層包括II-VI族化合物。

5.?根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述圖案化氧化物半導體層更包括堿土金屬、IIIA族元素、VA族元素、VIA族元素或過渡金屬的其中至少一者。

6.?根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：其中形成該圖案化氧化物半導體層的方法包括真空鍍膜、旋轉涂布、噴墨印刷或網印。

7.?根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述基板包括一硬質基板或一可撓式基板。

8.?根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述硬質基板包括一玻璃基板。

9.?根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：所述局部雷射處理的該激光束的一波長大體上是介于250奈米至500奈米之間。

10.?根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：更包括于該圖案化氧化物半導體層上形成一圖案化保護層，以保護部份該圖案化氧化物半導體層不受該局部雷射處理的影響，其中該圖案化保護層是形成于該源極電極/汲極電極之前，且該局部雷射處理是于該源極電極/汲極電極形成之前進行。