[發(fā)明專利]固體攝像器件、固體攝像器件制造方法以及電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110065569.2
• 申請日: 2011-03-17
• 公開（公告）號: CN102201417A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 清田幸弘;馬渕圭司
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像器件，所述固體攝像器件包括：

多個像素，每個所述像素包括形成在基板正面?zhèn)鹊墓怆娹D(zhuǎn)換部和形成在所述基板正面?zhèn)鹊南袼鼐w管，這里所述基板背面?zhèn)缺辉O(shè)定為所述光電轉(zhuǎn)換部的受光面；以及

作為無源元件或有源元件的元件，該元件設(shè)置在所述基板正面?zhèn)炔⑶冶化B加在所述光電轉(zhuǎn)換部上方。

2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述無源元件是電容元件，所述電容元件是通過使用設(shè)在所述基板正面?zhèn)鹊牟季€及層間絕緣膜來形成的。

3.如權(quán)利要求2所述的固體攝像器件，其中，所述電容元件是用于存儲從所述光電轉(zhuǎn)換部傳輸過來的電荷的電容元件。

4.如權(quán)利要求2所述的固體攝像器件，其中，所述電容元件是構(gòu)成模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路的電容元件。

5.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述無源元件是電感元件和/或電阻元件。

6.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述有源元件是晶體管元件。

7.如權(quán)利要求6所述的固體攝像器件，其中，所述晶體管元件是像素晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，還包括：

第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片包括攝像區(qū)域，所述多個像素按照二維陣列形狀布置在所述攝像區(qū)域中；以及

第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片至少包括邏輯電路，

其中，所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片層疊著。

9.一種固體攝像器件制造方法，所述方法包括如下步驟：

在半導(dǎo)體基板上形成多個像素，每個所述像素包括形成在所述半導(dǎo)體基板正面?zhèn)鹊墓怆娹D(zhuǎn)換部和形成在所述半導(dǎo)體基板正面?zhèn)鹊南袼鼐w管，這里所述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)缺辉O(shè)定為所述光電轉(zhuǎn)換部的受光面；以及

形成作為無源元件或有源元件的元件，該元件設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板正面?zhèn)炔⑶冶化B加在所述光電轉(zhuǎn)換部上方。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，在所述形成多個像素的步驟之后，還包括如下步驟：

在所述半導(dǎo)體基板的正面上形成被層間絕緣膜隔開的多層布線，然后通過使用所述布線和所述層間絕緣膜來形成所述無源元件。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述無源元件是電容元件。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述無源元件是電感元件和/或電阻元件。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，在所述形成多個像素的步驟之后，還包括如下步驟：

在所述半導(dǎo)體基板的正面上形成所述有源元件，然后形成被層間絕緣膜隔開的多層布線。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述有源元件是晶體管元件。

15.一種電子裝置，所述電子裝置包括：

固體攝像器件；

光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電二極管；以及

信號處理電路，所述信號處理電路對所述固體攝像器件的輸出信號進行處理，

其中，所述固體攝像器件由權(quán)利要求1～8任一項所述的固體攝像器件構(gòu)成。