[發明專利]顯示裝置接觸孔形成方法有效
| 申請號: | 201110063933.1 | 申請日: | 2011-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN102683266A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 張建強;張容;李延輝;康亮 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201108 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 接觸 形成 方法 | ||
1.一種顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于,包括:
提供基板,基板上形成有第一金屬層,第一金屬層和基板上覆蓋有絕緣層,絕緣層上形成有第二金屬層,且第二金屬層和第一金屬層在垂直于基板的方向上不重合,第二金屬層和絕緣層上覆蓋有鈍化層,鈍化層上覆蓋有圖案化光刻膠層,其中圖案化光刻膠層包括設置在第二金屬層上方對應位置的半色調光刻膠區域;
以所述圖案化光刻膠層為掩模,執行第一蝕刻步驟,去除第一金屬層上方對應的全部厚度的鈍化層以及部分厚度的絕緣層,形成深孔,同時去除第二金屬層上方對應的部分厚度的半色調光刻膠,形成淺孔;
執行灰化步驟,完全去除第二金屬層上方對應的半色調光刻膠;
以所述圖案化光刻膠層為掩模,執行第二蝕刻步驟,去除第一金屬層上方深孔內保留的絕緣層,曝露出第一金屬層表面,同時去除第二金屬層上方淺孔內對應的鈍化層,曝露出第二金屬層表面。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
第一蝕刻步驟使用的蝕刻氣體為含氟氣體、含氟氣體和氧氣的混合氣體含氟氣體和氦氣的混合氣體、或者含氟氣體和氧氣以及氦氣三種氣體的混合氣體。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
第二蝕刻步驟和第一蝕刻步驟中使用相同或不同的蝕刻氣體。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
灰化步驟采用含氟氣體和氧氣的混合氣體、或者僅采用氧氣為灰化氣體。
5.根據權利要求2至4任一項所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
所述含氟氣體包括:SF6、CF4或CHF3。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于,還包括:
在第二蝕刻步驟執行完畢后,采用剝離的方式移除鈍化層上方的圖案化光刻膠層。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于,還包括:
移除圖案化光刻膠層之后,在鈍化層上方形成覆蓋鈍化層的電極層,所述電極層覆蓋于深孔以及淺孔內。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
在第二蝕刻步驟執行完畢后,深孔內形成有上下兩個傾角,分別為上傾角和下傾角,淺孔內形成有一個傾角。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
當第二蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比大于第一蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比時,所述上傾角度大于、等于或者小于所述下傾角度。
10.根據權利要求8所述的顯示裝置接觸孔形成方法,其特征在于:
當第二蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比小于第一蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體選擇比時,所述上傾角度小于所述下傾角度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





