[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其組裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110063844.7 | 申請日： | 2011-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN102683221B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高偉;龔志偉;葉德洪;張虎昌 | 申請（專利權(quán)）人： | 飛思卡爾半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50;H01L21/58;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 組裝 方法 | ||
1.一種組裝半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：
將管芯固著到熱沉以形成管芯和熱沉組件；以及
將所述管芯和熱沉組件設(shè)置在所述半導(dǎo)體裝置的支撐元件上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述支撐元件包括帶，其上設(shè)置所述半導(dǎo)體裝置的基底部件。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述基底部件是引線框架。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述基底部件是基板。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述基底部件具有第一厚度，而所述熱沉具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括：通過所述基底部件的開口將所述管芯和熱沉組件設(shè)置在所述支撐元件上。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：利用撿取和放置裝置將所述管芯和熱沉組件設(shè)置在所述支撐元件上。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述支撐元件是引線框架。
9.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
支撐元件；
管芯和熱沉組件，其設(shè)置在所述支撐元件上，其中所述管芯和熱沉在被設(shè)置在所述支撐元件上之前被預(yù)組裝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
