[發明專利]大功率電源集成電路MOSFET電流在片測試方法

無效

• 申請號: 201110063005.5
• 申請日: 2011-03-16
• 公開（公告）號: CN102226819A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 張炯;程曉峰
• 申請（專利權）人: 上海宏泰源電子技術有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及集成電路領域，尤其涉及大功率電源集成電路中金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)電流在片測試方法。

背景技術

在測試AC-DC變化器和DC-DC變換器等結構中功率管的電流時，以往通常采用下述兩種方案：

一是采用電阻測試方案，通過在功率管上串聯電阻來測試電流，這種方案的精度通常能滿足要求，不過由于電流一般是毫安級電流，因此這種方案會產生很大的功耗，導致系統效率降低；

二是采用電感測試方案，這種方案增加了設計難度，且由于電感的電感值精度不夠，使得測試結果精度較低。

為避免上述問題，隨著技術發展，功率管通常內置在DC-DC等變化器內，因此可以通過在在片測試結構可以實現功率管電流的測試，不過目前通過在片測試結構來測試電路的方案通常存在測試精度低的問題。

發明內容

本發明提供了在片MOSFET電流測試方法，以提高測試精度。

本發明提供的在片MOSFET電流測試方法，包括步驟：采集待測試MOSFET的電流；采用在片MOSFET測試結構，將采集到的電流進行三級以上縮小，獲得測試電流。

本發明提供的在片MOSFET電流測試結構，包括：電流采集模塊，用于采集待測試MOSFET的電流；在片MOSFET測試模塊，用于將電流采集模塊采集的電流進行三級以上縮小，獲得測試電流。

本發明提供的大功率電源，內置待測試MOSFET，包括在片MOSFET電流測試結構，該測試結構具體包括：電流采集模塊，用于采集待測試MOSFET的電流；在片MOSFET測試模塊，用于將電流采集模塊采集的電流進行三級以上縮小，獲得測試電流。

本發明提供的上述方案首先采集待測試MOSFET的電流，然后將該電流進行三級以上縮小，獲得測試電流，從而使測試電流比待測試MOSFET電流的電流值要低三級以上，使得測試精度提高。

附圖說明

圖1為本發明實施例的具體電路結構示意圖；

圖2是本發明實施例測試到的電流I_sense和流過功率管的電流I_L波形圖。

具體實施方式

現有技術測試精度低，如果通過將待測試MOSFET電流進行三級以上的縮小，獲得測試電流，則其精度將大幅度提高。基于該思路，本實施例提供的測試方法如下：

步驟1，采集待測試MOSFET的電流；

步驟2，采用在片MOSFET測試結構，將采集到的電流進行三級以上縮小，獲得測試電流。

此外由于待測試MOSFET的開啟和關閉是根據工作頻率來確定，頻率越高，其開啟和關閉越頻繁，在待測試MOSFET關閉時，為防止關閉在片測試結構可能使得后續待測試MOSFET開啟時，在片測試結構重新開啟所浪費的功耗和開啟時間的問題，本實施例的方案中，在所述待測試MOSFET關閉時，保持在片MOSFET測試結構開啟，從而降低功耗和避免重新開啟而提高測試速度，尤其是在高頻情況下，該優勢更加明顯。較佳的，上述待測試MOSFET可以為功率管。

本實施例還提供了在片MOSFET電流測試結構，包括：電流采集模塊，用于采集待測試MOSFET的電流；在片MOSFET測試模塊，用于將電流采集模塊采集的電流進行三級以上縮小，獲得測試電流。其中較佳的，在所述待測試MOSFET關閉時，保持在片MOSFET測試結構開啟，以降低功耗和提高測試速度；較佳的，待測試MOSFET可以為功率管。

本實施例還提供了關電源，內置待測試MOSFET，包括在片MOSFET電流測試結構，該測試結構具體包括：電流采集模塊，用于采集待測試MOSFET的電流；在片MOSFET測試模塊，用于將電流采集模塊采集的電流進行三級以上縮小，獲得測試電流。其中較佳的，在所述待測試MOSFET關閉時，保持在片MOSFET測試結構開啟，以降低功耗和提高測試速度；較佳的，待測試MOSFET可以為功率管。

上述方案通過采用三級以上比例縮小的原理，能夠使測試到的電流為幾十微安級，而被測試的電流一般是安培級，減少了匹配度的要求，使得精度提高。此外功率管閉合時，電路正常工作，在開關管打開時，在電路不測試的時候，偏置電流不會全部關斷，采樣電流降低到極小，這樣節省了功耗，并且節省了電路的反應時間。

下面結合具體電路闡述上述方案：