[發(fā)明專利]聚合物膜、該膜的生產(chǎn)方法、和延遲膜、偏振片以及含有該膜的液晶顯示裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110062994.6
• 申請日: 2011-03-11
• 公開（公告）號: CN102190902A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龜江博子;松藤明博;加藤峻也
• 申請（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: C08L101/00
• 分類號: C08L101/00;C08L1/10;C08L1/12;C08K5/315;C08K5/3432;C08K5/17;C08K5/3445;C08K5/45;B29C69/00;G02B5/30;G02B1/04;G02F1/13363
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 于輝

1.一種聚合物膜，其包含：

至少一種作為其主要成分的聚合物，和

至少一種滿足關(guān)系式(1)和(2)的化合物，并且以所述至少一種聚合物的質(zhì)量計，所述化合物的含量為0.2-20質(zhì)量％，并且

所述聚合物膜在λnm波長下的面內(nèi)延遲Re(λ)，以及在λnm波長下沿厚度方向的延遲Rth(λ)滿足式(3)、(4)、(5)和(6)：

(1)360nm≤λmax≤400nm

(2)λ_1/2-λmax≤20nm

其中，λmax表示所述化合物的最大吸收波長(單位：nm)，λ_1/2(λmax＜λ_1/2)表示吸收強度為λmax下吸收強度1/2時的波長，

(3)Re(450)-Re(550)≤0nm

(4)Rth(450)-Rth(550)≥0nm

(5)60nm≤Re(550)≤100nm

(6)40nm≤Rth(550)≤80nm。

2.如權(quán)利要求1的聚合物膜，其滿足式(3′)和(4′)：

(3′)-150nm≤Re(450)-Re(550)≤0nm

(4′)150nm≥Rth(450)-Rth(550)≥0nm。

3.如權(quán)利要求1的聚合物膜，其滿足式(3″)和(4″)：

(3″)-50nm≤Re(450)-Re(550)≤-3nm

(4″)50nm≥Rth(450)-Rth(550)≥3nm。

4.如權(quán)利要求1的聚合物膜，其中，所述化合物是由式(I)表示的部花青化合物，并且所述化合物的λmax滿足370nm≤λmax≤400nm：

其中N表示氮原子；和R¹至R⁷各自表示氫原子或取代基。

5.如權(quán)利要求4的聚合物膜，其中，在式(1)中，R¹和R²各自表示取代或未取代的烷基，并且它們可以彼此連接形成包含氮原子的環(huán)；R⁶和R⁷各自表示哈米特取代基常數(shù)σp至少為0.2的取代基，或者R⁶和R⁷彼此連接形成環(huán)狀的活性亞甲基化合物結(jié)構(gòu)；以及R³、R⁴和R⁵是氫原子。

6.如權(quán)利要求1的聚合物膜，其中所述化合物是由式(Ia)表示的部花青化合物：

其中R¹¹和R¹²各自表示烷基、芳基、氰基或-COOR¹³，或者它們彼此連接形成包含氮原子的環(huán)；R⁶和R⁷各自表示氰基、-COOR¹⁴或-SO₂R¹⁵，或者它們彼此連接形成下列環(huán)狀的活性亞甲基結(jié)構(gòu)(Ia-1)至(Ia-6)中的任一種；R¹³、R¹⁴和R¹⁵各自表示烷基、芳基或雜環(huán)基：

其中每個^＊＊表示基團在該位置連接至式(Ia)；R^a和R^b各自表示氫原子或C₁-C₂₀烷基；和X表示氧原子或者硫原子。

7.如權(quán)利要求6的聚合物膜，其中所述由式(Ia)表示的部花青化合物是由式(Ia-a)、(Ia-b)或(Ia-c)表示的化合物：

其中R^6a和R^7a、R^6b和R^7b、以及R^6c和R^7c分別與式(Ia)中的R⁶和R⁷具有相同的含義。

8.如權(quán)利要求1的聚合物膜，其中，所述化合物是由式(II)表示的苯并二硫醇化合物，并且所述化合物的λmax滿足387nm≤λmax≤400nm：

其中S表示硫原子；R²¹至R²⁶各自表示氫原子或取代基，并且任選地，它們彼此連接成環(huán)。