[發明專利]智能標簽、其制作方法、及具備其的商品的管理方法

有效

• 申請號: 201110062354.5
• 申請日: 2004-02-24
• 公開（公告）號: CN102184891A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 荒井康行;石川明;高山徹;丸山純矢;后藤裕吾;大野由美子;館村祐子
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G06K19/077
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 湯春龍;蔣駿

1.一種薄膜集成電路器件的制作方法，它包括以下步驟：

在第一襯底上形成金屬膜；

在該金屬膜上形成由層疊含有硅的氧化膜和含有氮的絕緣膜而形成的絕緣膜；

在該絕緣膜上形成半導體膜；

形成具有該半導體膜的薄膜集成電路；

在所述半導體膜上用第一粘合劑粘合第二襯底；

分離所述第一襯底；

將所述金屬膜和第三襯底用第二粘合劑粘合在一起；以及

去除所述第一粘合劑，并分離所述第二襯底，

其中，在所述金屬膜上形成金屬氧化物，

其中，所述金屬氧化物的層內，或所述金屬膜和所述金屬氧化物的分界處執行分離。

2.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中包括在所述薄膜集成電路器件中的天線是通過使用導電糊膏的印刷法而形成的。

3.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中用濺射法在所述金屬膜上形成所述含有硅的氧化膜。

4.根據權利要求3的薄膜集成電路器件的制作方法，其中當在所述金屬膜上形成所述含有硅的氧化膜時，所述金屬氧化物是由于金屬被氧化而形成。

5.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述金屬氧化物的晶化借助加熱而實現。

6.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述去除所述第一粘合劑的工藝和固化所述第二粘合劑的工藝通過同一工藝被執行。

7.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述金屬膜包含從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir中選出的元素，或是以上述金屬為主要成分的合金，或是上述金屬的化合物。

8.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述第一粘合劑是由包含紫外線剝離型樹脂、熱剝離型樹脂、或水溶性樹脂的粘合劑；或雙面膠帶而形成。

9.根據權利要求1的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述第二粘合劑是由包含紫外線固化型樹脂、熱固化型樹脂、或水溶性樹脂的粘合劑；或雙面膠帶而形成。

10.一種薄膜集成電路器件的制作方法，它包括以下步驟：

在第一襯底上形成金屬膜；

在該金屬膜上形成由層疊含有硅的氧化膜和含有氮的絕緣膜而形成的絕緣膜；

在該絕緣膜上形成半導體膜；

在該半導體膜上，在相同的一個層中形成柵電極和天線，以形成薄膜集成電路；

在所述柵電極和天線上用第一粘合劑粘合第二襯底；

分離所述第一襯底；

將所述金屬膜和第三襯底用第二粘合劑粘合在一起；以及

去除所述第一粘合劑，并且分離所述第二襯底，

其中，在所述金屬膜上形成金屬氧化物，

其中，在所述金屬氧化物的層內，或所述金屬膜和所述金屬氧化物的分界處執行分離。

11.根據權利要求10的薄膜集成電路器件的制作方法，其中用濺射法在所述金屬膜上形成所述含有硅的氧化膜。

12.根據權利要求11的薄膜集成電路器件的制作方法，其中當在所述金屬膜上形成所述含有硅的氧化膜時，所述金屬氧化物是由于金屬被氧化而形成。

13.根據權利要求10的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述金屬氧化物的晶化借助加熱而實現。

14.根據權利要求10的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述去除所述第一粘合劑的工藝和固化所述第二粘合劑的工藝通過同一工藝被執行。

15.根據權利要求10的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述金屬膜包含從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir中選出的元素，或是以上述金屬為主要成分的合金，或是上述金屬的化合物。

16.根據權利要求10的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述第一粘合劑是由包含紫外線剝離型樹脂、熱剝離型樹脂、或水溶性樹脂的粘合劑；或雙面膠帶而形成。

17.根據權利要求10的薄膜集成電路器件的制作方法，其中所述第二粘合劑是由包含紫外線固化型樹脂、熱固化型樹脂、或水溶性樹脂的粘合劑；或雙面膠帶而形成。