[發明專利]硅基不等寬微槽道平板熱管及制備方法無效
| 申請號： | 201110062316.X | 申請日： | 2011-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN102175088A | 公開（公告）日： | 2011-09-07 |
| 發明（設計）人： | 閆衛平;李杰超;唐吉仁 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | F28D15/04 | 分類號： | F28D15/04 |
| 代理公司： | 大連星海專利事務所 21208 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 116024 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 不等 寬微槽道 平板 熱管 制備 方法 | ||
1.一種硅基不等寬微槽道平板熱管，其特征在于，所述硅基不等寬微槽道平板熱管中的微槽道（12）是一簇結構相同、寬度連續變化的微槽道結構。
2.根據權利要求1所述的硅基不等寬微槽道平板熱管，其特征在于，所述微槽道（12）為矩形微槽道或V形微槽道。
3.根據權利要求1或2所述的硅基不等寬微槽道平板熱管，其特征在于，所述硅基不等寬微槽道平板熱管包括：兩片帶有一簇結構相同、寬度連續變化的微槽道結構的硅基片（9），兩片所述的硅基片（9）通過靜電封接的方法封接在一起，組合成不等寬微槽道平板熱管。
4.根據權利要求3所述的硅基不等寬微槽道平板熱管，其特征在于，在所述兩片硅基片（9）之間封裝有玻璃環基片（14），所述玻璃環基片（14）中間通過光刻和化學腐蝕方法形成蒸汽腔（13）。
5.根據權利要求3所述的硅基不等寬微槽道平板熱管，其特征在于，
所述硅基片（9）表面通過氧化作用形成一層二氧化硅薄膜。
6.一種硅基不等寬微槽道平板熱管的制備方法，包括以下步驟：
第一步：采用光刻和濕法化學腐蝕的方法，將兩片硅片刻蝕成具有一簇結構相同、寬度連續變化的微槽道結構的硅基片（9）；
第二步：利用靜電封接的方法將兩個硅基片（9）封接在一起，組合成不等寬微槽道平板熱管。
7.根據權利要求6所述的硅基不等寬微槽道平板熱管的制備方法，其特征在于，第二步還包括：利用光刻和化學腐蝕方法，制作出尺寸與硅基片（9）相同的中間帶有蒸汽腔（13）的玻璃環基片（14），利用靜電封接的方法將玻璃環基片（14）與上下兩個硅基片（9）封接在一起，組合成不等寬微槽道平板熱管的步驟。
8.根據權利要求6所述的硅基不等寬微槽道平板熱管的制備方法，其特征在于，在第一步之前還包括：將兩片尺寸相同的矩形硅基片（9）進行氧化，在硅基片（9）表面形成一層二氧化硅薄膜的步驟。
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