[發明專利]一種超材料雙極化的射頻基站天線有效
| 申請號： | 201110062175.1 | 申請日： | 2011-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN102683902A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 劉若鵬;楊松濤;張洋洋;李岳峰 | 申請（專利權）人： | 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司 |
| 主分類號： | H01Q23/00 | 分類號： | H01Q23/00;H01Q1/24;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 材料 極化 射頻 基站 天線 | ||
1.一種超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述超材料雙極化的射頻基站天線包括第一饋線、第二饋線、金屬片、第一可短接點以及第二可短接點，所述金屬片上鏤刻有金屬微結構，所述雙極化射頻天線預設有供電子元件嵌入的空間。
2.根據權利要求1所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述空間設置在第一饋線、第二饋線、第一饋線與金屬微結構之間、第二饋線與金屬微結構之間、金屬微結構這五個位置的至少一個上。
3.根據權利要求2所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述空間設置在金屬微結構的走線上，所述電子元件嵌入在金屬微結構的走線上。
4.根據權利要求2所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述空間設置在人造微結構的走線間隔內，所述電子元件嵌入在人造微結構的走線間隔內。
5.根據權利要求1至4任意一項所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。
6.根據權利要求5所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述空間為形成在射頻天線上的焊盤。
7.根據權利要求5所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述感性電子元件電感值的范圍在0-5uH之間。
8.根據權利要求5所述的超材料雙極化的射頻基站天線，其特征在于，所述容性電子元件電容值的范圍在0-2pF之間。
9.根據權利要求1所述的超材料雙極化的射頻基站天線，所述第一饋線及第二饋線采用不同的極化工作模式。
10.根據權利要求9所述的超材料雙極化的射頻基站天線，所述第一饋線相對于金屬微結構饋電位置的不同得到水平極化工作模式，所述第二饋線相對于金屬微結構饋電位置的不同得到垂直極化工作模式。
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