[發(fā)明專利]電磁波分裂元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110061775.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-03-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102478679A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉若鵬;李岳峰;徐冠雄;季春霖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B5/30 | 分類號(hào): | G02B5/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁波 分裂 元件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁波通訊領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種電磁波分裂元件。
背景技術(shù)
超材料是一種新型材料,是由非金屬材料制成的基材和附著在基材表面上或嵌入在基材內(nèi)部的多個(gè)人造微結(jié)構(gòu)構(gòu)成的。人造微結(jié)構(gòu)是組成一定幾何圖形的圓柱形或扁平狀金屬絲,例如組成圓環(huán)形、I形的金屬絲等。每個(gè)人造微結(jié)構(gòu)及其附著或占據(jù)的部分基材構(gòu)成一個(gè)單元,整個(gè)超材料即是由數(shù)十萬、百萬甚至上億的這樣的單元組成的,就像晶體是由無數(shù)的晶格按照一定的排布構(gòu)成的,每個(gè)晶格即相當(dāng)于上述的人造微結(jié)構(gòu)及部分基材構(gòu)成的單元。
由于人造微結(jié)構(gòu)的存在,每個(gè)上述單元整體具有不同于基材本身的等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率,因此所有的單元構(gòu)成的超材料對(duì)電場(chǎng)和磁場(chǎng)呈現(xiàn)出特殊的響應(yīng)特性;同時(shí),對(duì)人造微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同的具體結(jié)構(gòu)和形狀,可改變其單元的等效介電常數(shù)和等效磁導(dǎo)率,進(jìn)而改變整個(gè)超材料的響應(yīng)特性。
對(duì)于一束入射的平行電磁波,當(dāng)需要使其分裂而不改變其傳播方向時(shí),自然界的材料和現(xiàn)有的其他人造材料都不能實(shí)現(xiàn)這種功能,人們只能著眼于上述超材料來實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不能實(shí)現(xiàn)電磁波不改變其傳播方向的前提下分裂的缺陷,提供一種超材料制成的電磁波分裂元件。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種電磁波分裂元件,包括至少一個(gè)超材料片層,每個(gè)片層包括片狀的非金屬的基材、附著在所述基材上的多個(gè)人造微結(jié)構(gòu);所述人造微結(jié)構(gòu)以一垂直于所述片狀基材的平面為分界面被分為第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu);所述第一人造微結(jié)構(gòu)/第二人造微結(jié)構(gòu)有多個(gè),且具有相同的折射率橢球,同時(shí)折射率橢球的非尋常光光軸相互平行;每個(gè)所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)均為非90度旋轉(zhuǎn)對(duì)稱結(jié)構(gòu),二者的折射率橢球的非尋常光光軸的夾角不為零或180度,且位于所述分界面法線的同一側(cè)。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述多個(gè)第一人造微結(jié)構(gòu)/多個(gè)第二人造微結(jié)構(gòu)具有相同的幾何形狀且相互平行地均勻排布,使得其折射率橢球相同且非尋常光光軸相互平行。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)以所述分界面為對(duì)稱面對(duì)稱。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述夾角的開口方向與入射電磁波的傳播方向一致。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述電磁波分裂元件包括多個(gè)超材料片層,所述多個(gè)超材料片層沿垂直于所述超材料片層表面的方向堆疊為一體結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述人造微結(jié)構(gòu)為軸對(duì)稱結(jié)構(gòu),其對(duì)稱軸不垂直且不平行于所述分界面。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述人造微結(jié)構(gòu)為“工”字形、“十”字形或者橢圓形。
在本發(fā)明所述的電磁波分裂元件中,所述人造微結(jié)構(gòu)為任意非對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
實(shí)施本發(fā)明的電磁波分裂元件,具有以下有益效果:采用本發(fā)明,可以在不改變電磁波傳播方向的條件下,將一束電磁波分裂成兩束,擴(kuò)大電磁波的傳播范圍。
附圖說明
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明,附圖中:
圖1是本發(fā)明的電磁波分裂元件的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1所示實(shí)施例的其中一個(gè)第二人造微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的人造微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的人造微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本發(fā)明第四實(shí)施例的人造微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6是本發(fā)明第五實(shí)施例的人造微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明涉及一種電磁波分裂元件,可使一束入射的電磁波離開元件時(shí)分離成兩束電磁波。
如圖1所示,本發(fā)明的電磁波分裂元件由一個(gè)或多個(gè)厚度相同的超材料片層構(gòu)成。每個(gè)超材料片層包括等厚片狀的基材1,還包括附著在基材1前表面上或者嵌入在基材1內(nèi)部中間的多個(gè)人造微結(jié)構(gòu)2,人造微結(jié)構(gòu)2包括第一人造微結(jié)構(gòu)21和第二人造微結(jié)構(gòu)22。
利用一垂直于基材1前表面的平面將基材1分成兩部分,在第一部分上具有第一人造微結(jié)構(gòu)21,在第二部分上具有第二人造微結(jié)構(gòu)22,且第一人造微結(jié)構(gòu)21和第二人造微結(jié)構(gòu)22以該平面為分界面3對(duì)稱分布。第一人造微結(jié)構(gòu)21有多個(gè),且具有完全相同的幾何形狀,并相互平行地均勻分布在基材1的第一部分表面上。第二人造微結(jié)構(gòu)22也具有多個(gè),數(shù)量與第一人造微結(jié)構(gòu)21相同,并相互平行地均勻分布在基材1的第二部分表面上,且分別與各個(gè)第一人造微結(jié)構(gòu)21一一對(duì)應(yīng)地相對(duì)于分界面3對(duì)稱。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110061775.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 用于內(nèi)容定義節(jié)點(diǎn)分裂的方法和裝置
- 一種分裂細(xì)胞識(shí)別方法
- 基于區(qū)間策略的最佳分裂點(diǎn)生成方法和裝置
- 一種750kV匯流母線四分裂T接金具
- 分區(qū)分裂方法、裝置、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種分布式表格存儲(chǔ)的處理方法、裝置及系統(tǒng)
- 一種500kV緊湊型轉(zhuǎn)常規(guī)線路耐張塔跳線引流母線金具
- 一種基于粒子法的變粒徑分裂方法
- 一種220kV單導(dǎo)線轉(zhuǎn)雙分裂導(dǎo)線跳通金具
- 用于業(yè)務(wù)對(duì)象分類的決策模型訓(xùn)練方法和裝置





