[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110061712.0
• 申請日: 2011-03-15
• 公開（公告）號: CN102194718A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林耀劍;陳康;方建敏;X·馮
• 申請（專利權(quán)）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;蔣駿

1.?一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供具有多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體晶片，每個(gè)半導(dǎo)體管芯具有有源表面；

在有源表面上形成第一導(dǎo)電層；

在有源表面和第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；

在第一絕緣層和第一導(dǎo)電層上形成再鈍化層；

形成通過再鈍化層延伸到第一導(dǎo)電層的通路；

將半導(dǎo)體晶片單體化以分離半導(dǎo)體管芯；

在半導(dǎo)體管芯上沉積密封劑；

在再鈍化層和密封劑上形成第二絕緣層；

在再鈍化層和第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層；以及

在第二導(dǎo)電層和第二絕緣層上形成第三絕緣層。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在第二導(dǎo)電層上形成互連結(jié)構(gòu)。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括：

在形成再鈍化層之前在第一絕緣層中形成開口；

在第一絕緣層和第一導(dǎo)電層上形成再鈍化層；以及

在第一絕緣層的開口內(nèi)形成通過再鈍化層的通路，所述通路比第一絕緣層的開口小至少10微米。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在再鈍化層中的通路的情況下，第二導(dǎo)電層具有每側(cè)至少12微米的對準(zhǔn)公差。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在形成再鈍化層之前在第一絕緣層和第一導(dǎo)電層上形成第三導(dǎo)電層。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在第二絕緣層之內(nèi)或之外形成第二導(dǎo)電層的一部分。

7.?一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供具有有源表面的半導(dǎo)體晶片；

在有源表面上形成第一導(dǎo)電層；

在有源表面和第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；

在第一絕緣層和第一導(dǎo)電層上形成再鈍化層；

形成通過再鈍化層延伸到第一導(dǎo)電層的通路；

將半導(dǎo)體晶片單體化以分離半導(dǎo)體管芯；

在半導(dǎo)體管芯上沉積密封劑；

在再鈍化層和第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層；

在第二導(dǎo)電層和再鈍化層上形成第二絕緣層；

在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上形成第三導(dǎo)電層；以及

在第三導(dǎo)電層上形成第三絕緣層。

8.?根據(jù)權(quán)利要求7的方法，還包括在第三導(dǎo)電層上形成互連結(jié)構(gòu)。

9.?根據(jù)權(quán)利要求7的方法，還包括：

在形成再鈍化層之前在第一絕緣層中形成開口；

在第一絕緣層和第一導(dǎo)電層上形成再鈍化層；以及

在第一絕緣層的開口內(nèi)形成通過再鈍化層的通路，所述通路比第一絕緣層的開口小至少10微米。

10.?根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中在再鈍化層中的通路的情況下，第二導(dǎo)電層具有每側(cè)至少12微米的對準(zhǔn)公差。

11.?根據(jù)權(quán)利要求7的方法，還包括在形成再鈍化層之前在第一絕緣層和第一導(dǎo)電層上形成第四導(dǎo)電層。

12.?根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中在第二絕緣層之內(nèi)或之外形成第二導(dǎo)電層的一部分。

13.?根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中第二和第三導(dǎo)電層用作再分配層。

14.?一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體管芯；

在半導(dǎo)體管芯的有源表面上形成第一導(dǎo)電焊盤；

在第一導(dǎo)電焊盤和半導(dǎo)體管芯上形成鈍化層；

形成通過鈍化層延伸到第一導(dǎo)電焊盤的通路；

在半導(dǎo)體管芯上沉積密封劑；

在鈍化層和密封劑上形成第一絕緣層；

在鈍化層和第一導(dǎo)電焊盤上形成第二導(dǎo)電層；以及

在第二導(dǎo)電層和第一絕緣層上形成第二絕緣層。

15.?根據(jù)權(quán)利要求14的方法，還包括在第二導(dǎo)電層上形成互連結(jié)構(gòu)。

16.?根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述互連結(jié)構(gòu)包括凸塊。

17.?根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中鈍化層的通路比第一導(dǎo)電焊盤小至少30微米。

18.?根據(jù)權(quán)利要求14的方法，還包括：

在形成再鈍化層之前在第一絕緣層中形成開口；

在第一絕緣層和第一導(dǎo)電焊盤上形成鈍化層；以及

在第一絕緣層的開口內(nèi)形成通過鈍化層的通路，所述通路比第一絕緣層的開口小至少10微米。