[發明專利]鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201110061645.2
• 申請日: 2011-03-15
• 公開（公告）號: CN102148156A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 孫濤
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底內形成CMOS阱，所述CMOS阱作為雙極型晶體管的集電區；

在所述半導體襯底上順次形成柵極氧化層、第一多晶硅層、二氧化硅層和氮化硅層；

利用第一道掩膜，依次刻蝕所述柵極氧化層、第一多晶硅層、二氧化硅層和氮化硅層，以形成雙極型晶體管區的窗口；

在所述窗口內形成鍺硅層，以形成雙極型晶體管的基區；

在所述窗口內形成內側墻；

在所述窗口和氮化硅層上形成第二多晶硅層，利用第二道掩膜，刻蝕所述第二多晶硅層，在雙極型晶體管區留有部分第二多晶硅層以形成雙極型晶體管的發射區。

2.如權利要求1所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述CMOS阱為n型摻雜，摻雜離子為磷離子或者砷離子或者銻離子。

3.如權利要求1所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，通過選擇性外延工藝在所述窗口內形成鍺硅層。

4.如權利要求1或3所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述鍺硅層的厚度為400埃～1500埃。

5.如權利要求1所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，在所述窗口內形成鍺硅層后，對所述鍺硅層進行第二摻雜。

6.如權利要求5所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜為p型摻雜，摻雜離子為硼離子，摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁹cm^-3。

7.如權利要求5或6所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜的工藝溫度為400℃～900℃。

8.如權利要求1所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，在刻蝕所述第二多晶硅層后，對雙極型晶體管區留有的部分第二多晶硅層進行第三摻雜。

9.如權利要求8所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述第三摻雜為n型摻雜，摻雜離子為磷離子或者砷離子或者銻離子，摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3～1×10²²cm^-3。

10.如權利要求8或9所述的鍺硅異質結雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述第三摻雜的工藝溫度為600℃～1200℃。