[發(fā)明專利]用于校準(zhǔn)溫度測量器件的方法和用于確定晶片溫度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110061292.6 | 申請日： | 2007-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102156008B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 保羅·J·蒂曼斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 馬特森技術(shù)公司 |
| 主分類號： | G01K15/00 | 分類號： | G01K15/00;G01K11/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人： | 吳艷 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 校準(zhǔn) 溫度 測量 器件 方法 確定 晶片 | ||
1.一種校準(zhǔn)溫度測量器件的方法，所述方法包括：
將光向校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)，所述校準(zhǔn)晶片的至少一部分具有隨溫度變化的在第一已知波長上的光學(xué)吸收，并具有隨溫度變化的在第二已知波長上的光程長度；
加熱所述校準(zhǔn)晶片；
測量所述校準(zhǔn)晶片在所述第一已知波長上的吸收特性，以確定絕對溫度值；
基于對穿過所述校準(zhǔn)晶片的至少一部分的光程長度的對應(yīng)變化敏感的測量，確定溫度的變化；
基于所述對絕對溫度的測量和對溫度的變化的測量兩者，校準(zhǔn)溫度測量器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片僅包括單個材料板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片具有兩個層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一已知波長上的吸收特性和在所述第二已知波長上的光程長度的變化是通過檢測透射穿過所述校準(zhǔn)晶片的相應(yīng)波長上的光而測量的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述向校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)的光中的至少一些是用非相干光源發(fā)出的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片包括硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述溫度測量器件包括高溫計。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二已知波長約為1.55微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述向校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)的光中的至少一些是用相干光源發(fā)出的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述向校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)的光包括用非相干光源發(fā)出的所述第一已知波長的光和用相干光源發(fā)出的所述第二已知波長的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述對絕對溫度的測量和對溫度的變化的測量是在所述校準(zhǔn)晶片旋轉(zhuǎn)的同時進行的，并且這兩項測量是在所述校準(zhǔn)晶片上相同半徑上進行的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，基于所述對絕對溫度的測量和對溫度的變化的測量兩者而生成溫度量度，該溫度量度被用于校準(zhǔn)所述溫度測量器件。
13.一種校準(zhǔn)溫度測量器件的方法，該方法包括：
在校準(zhǔn)晶片被加熱時，測量以第一波長穿過所述校準(zhǔn)晶片的透射，以確定所述晶片的至少一個絕對溫度；
在所述晶片被加熱時，測量以第二波長穿過所述校準(zhǔn)晶片的透射，以確定所述晶片的溫度的至少一個變化，所述第二波長被選擇使得隨著所述晶片的溫度上升，反射或透射在最大值和最小值之間出現(xiàn)振蕩；并且
通過組合所述晶片的所述確定的溫度的變化和所述確定的絕對溫度，校準(zhǔn)溫度測量器件。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片僅包括一個材料板。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片具有兩個層。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，還包括以所述第一波長和所述第二波長向所述校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)光，其中以所述第一波長向所述校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)的光是用非相干光源發(fā)出的，以所述第二波長向所述校準(zhǔn)晶片的第一側(cè)引導(dǎo)的光是用相干光源發(fā)出的。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片包括硅。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述溫度測量器件包括高溫計。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二已知波長約為1.55微米。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，對絕對溫度的測量和對溫度的變化的測量是在所述校準(zhǔn)晶片旋轉(zhuǎn)的同時進行的，并且這兩項測量是在所述校準(zhǔn)晶片上相同半徑上進行的。
21.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述校準(zhǔn)晶片具有在校準(zhǔn)程序之前就已知的成分，從而所述晶片的光學(xué)特性是已知的。
22.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二波長上的透射測量對穿過所述晶片的在所述第二波長上的光的光程長度敏感。
23.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在所述第一波長上確定的絕對溫度是基于所述晶片在所述第一波長上的光學(xué)吸收。
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