[發(fā)明專利]一種絨面結構BZO/HGZO復合薄膜及應用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110058727.1
• 申請日: 2011-03-11
• 公開（公告）號: CN102176471A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 陳新亮;耿新華;王斐;閆聰博;張德坤;孫建;魏長春;張建軍;張曉丹;趙穎
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0232;H01L31/18;C23C16/40;C23C16/44;C23C14/35;C23C14/06;H01L31/20;H01L31/042
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種絨面結構BZO/HGZO復合薄膜，其特征在于：具有玻璃/絨面結構BZO/高電導率HGZO結構，其中BZO為B摻雜ZnO，即ZnO:B，BZO薄膜厚度為（800-2500）nm；HGZO為H化Ga摻雜ZnO，即ZnO:Ga/H，HGZO薄膜厚度為（200-800）nm?。

2.一種如權利要求1所述絨面結構BZO/HGZO復合薄膜的制備方法，其特征在于：利用MOCVD技術和磁控濺射技術相結合生長高遷移率絨面結構BZO/高電導率HGZO薄膜，由以下步驟實現：

1）利用MOCVD技術，用純度為99.995%的二乙基鋅（DEZn）和水作為源材料，氫稀釋濃度為1%的硼烷B₂H₆作為摻雜氣體，生長B低摻雜ZnO透明導電薄膜，摻雜劑流量百分比含量為（0.1-1）%，基片襯底溫度為130-180℃；

2）利用磁控濺射技術，用純度為99.99%的ZnO:Ga₂O₃陶瓷靶材作為濺射靶材，摻雜劑ZnO的重量百分比含量為（0.5-1.0）%，以及H₂作為氣源材料，濺射氣體采用Ar氣體，生長高遷移率氫化鎵摻雜ZnO（ZnO:Ga/H，HGZO）薄膜，玻璃基片襯底溫度為25-250℃。

3.一種如權利要求1所述一種絨面結構BZO/HGZO復合薄膜的應用，其特征在于：應用于pin型μc-Si薄膜太陽電池和a-Si/μc-Si疊層薄膜太陽電池。