[發明專利]制造芯片的方法、氣體傳感器裝置、在芯片上鍍碳納米管的方法無效
| 申請號: | 201110058648.0 | 申請日: | 2011-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102279220A | 公開(公告)日: | 2011-12-14 |
| 發明(設計)人: | 潘元志 | 申請(專利權)人: | 潘元志 |
| 主分類號: | G01N27/70 | 分類號: | G01N27/70;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址: | 753000 寧夏回族*** | 國省代碼: | 寧夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 芯片 方法 氣體 傳感器 裝置 上鍍碳 納米 | ||
1.一種制造芯片的方法,所述芯片用于氣體傳感器,其特征在于,包括:
步驟102,在基底上制作所述芯片的電極;
步驟104,在所述基底上制作所述電極間的連線;
步驟106,在所述電極上鍍上碳納米管。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟102包括:
選擇硅片、石英片或玻璃片作為所述芯片的基底,并進行烘干;
在所述基底上濺射Cr/Cu種子層;
對所述基底上的Cr/Cu上進行甩膠、光刻;
對所述基底上的Cr/Cu進行蝕刻,以形成所述電極。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟104包括:
在所述基底上進行甩膠、光刻;
在所述基底上濺射Cr/Cu種子層;
對所述基底進行去膠,以形成所述連線。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟106包括:
在所述基底上進行甩膠、光刻,以保護所述連線,釋放所述電極;
在所述電極上電鍍鎳;
在所述電極的鎳上鍍上碳納米管。
5.一種氣體傳感器裝置,其特征在于,包括信號發生器、傳感器芯片、電流/電壓轉換器、帶通濾波器、交/直流轉換器、模/數轉換器、可編程控制器,其中,
所述信號發生器,為所述傳感器芯片提供正弦波交流信號;
所述傳感器,所述傳感器的芯片的電極上覆蓋有碳納米管,接收來自所述信號發生器的所述正弦波交流信號,并對氣體產生感應,形成電流信號;
所述電流/電壓轉換器,接收來自所述傳感器的所述電流信號,對所述感應電流進行電流/電壓轉換以及差分放大,形成交流電壓信號;
所述帶通濾波器,接收來自所述電流/電壓傳感器的所述交流電壓信號,對所述交流電壓信號進行濾波處理;
所述交/直流轉換器,接收來自所述帶通濾波器的所述交流電壓信號,并轉換成直流電壓信號;
所述模/數轉換器,接收來自所述交/直流轉換器的所述直流電壓信號,將所述電壓信號由模擬信號轉換為數字信號;
所述可編程控制器,接收來自所述模/數轉換器的所述數字信號,并對所述數字信號進行分析處理,并輸出結果數據。
6.根據權利要求5所述的氣體傳感器裝置,其特征在于,所述信號發生器為由運算放大器和RC文氏電橋組成的振蕩器。
7.根據權利要求5所述的氣體傳感器裝置,其特征在于,所述電流/電壓轉換器為由運算放大器和反饋電阻組成的并聯負反饋電路。
8.根據權利要求5所述的氣體傳感器裝置,其特征在于,所述交/直流轉換器為線性檢波電路。
9.根據權利要求5至8中任一項所述的氣體傳感器裝置,其特征在于,還包括:
顯示模塊,接收來自所述可編程控制器的所述結果數據,并將所述結果數據以波形的方式進行顯示;
存儲模塊,接收來自所述可編程控制器的所述結果數據并進行存儲;
異常模塊,接收來自所述可編程控制器的所述結果數據,并根據所述結果數據判斷氣體是否存在異常。
10.一種在芯片上鍍碳納米管的方法,所述芯片用于氣體傳感器,其特征在于,包括:
步驟302,將碳納米管均勻分散在丙酮溶液中;
步驟304,對含有所述碳納米管的所述丙酮溶液進行超聲處理;
步驟306,通過電泳,將所述丙酮溶液中的所述碳納米管鍍到所述芯片的電極上。
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