[發明專利]一種高靈敏度磁傳感芯片的制造方法

無效

• 申請號: 201110058477.1
• 申請日: 2011-03-11
• 公開（公告）號: CN102683582A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 曲炳郡;熊偉
• 申請（專利權）人: 曲炳郡
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;G01R33/09
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.磁傳感芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基底上制備磁敏感薄膜；

通過分段改變所述磁敏感薄膜的退磁場；

在所述磁敏感薄膜表面制備電極及導線，形成磁傳感芯片；

在所述磁傳感芯片表面沉積保護層；

將所述帶有保護層的磁傳感芯片基底分離獲得獨立的磁傳感芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底可以是硅、碳化硅、氮化硅、鍺硅、砷化鎵、氮化鎵、氮化鋁、氮化銦、陶瓷、玻璃、非晶二氧化硅、熱氧化硅、氧化鎂、氧化鋁、氧化鋅、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鎬酸鉛、鈦酸鎬酸鉛、鈦酸鎬酸鑭酸鉛、鋁酸鑭、鋁酸鎂、鋁酸鋰、鎵酸鋰鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鋁鎵氮、硼化鋯、鑭錳氧、鐠鈣錳氧、鋁酸鎂、氧化鋯、聚四氟乙烯等。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁敏感薄膜可以是各向異性磁電阻薄膜、巨磁電阻薄膜或隧道磁電阻薄膜。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁敏感薄膜可以通過以下方法獲得：濺射工藝、金屬有機化學氣相沉積工藝、脈沖激光沉積工藝、激光分子束外延工藝、原子層沉積工藝、離子束沉積工藝或分子束外延工藝。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過切割法、電流法、加熱法、外磁場法、反濺法或摻雜法分段改變所述磁敏感薄膜的退磁場。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述切割分段法可以是下列一種切割方法或幾種切割方法的混合：電加工，高密度束流加工，離子束加工，刻蝕加工，激光加工，聲能加工，化學能加工，電化學能加工，熱能加工，光學加工，機械能加工，線切割，電火花加工，電化學加工，電子束加工，反應離子刻蝕、離子束刻蝕，磨料流加工，液體噴射加工，等離子弧加工，激光切割、激光微細加工，激光化學反應加工，超聲加工，化學腐蝕，化學銑切加工，照相制版加工，刻蝕加工，電化學電弧加工，電化學腐蝕加工，超聲放電加工，復合電解加工，氧化、硝化等氣體反應，機械加工，微電子加工。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，通過完全切割或部分切割方式分段改變所述磁敏感薄膜的退磁場，其中，所述部分切割的切口部分位于磁敏感薄膜高度方向的中央位置，或靠近磁敏感薄膜高度方向的上沿或下沿，或位于磁敏感薄膜高度方向的上沿或下沿，或貫穿整個磁敏感薄膜的高度；所述切口部分位于磁敏感薄膜寬度方向的中央位置、中央偏上位置、中央偏下位置、上沿、下沿或貫穿整個磁敏感薄膜的寬度。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，通過電流法分段改變磁敏感薄膜的退磁場，實施所述電流法所采用的電流導線設置于磁敏感薄膜的上表面或下表面或在上表面、下表面同時設置，所述電流導線可以是純導體，或者是導體與絕緣體的復合體。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，通過加熱法分段改變磁敏感薄膜的退磁場，實施所述加熱法所采用的加熱體設置于磁敏感薄膜的上表面或下表面或在上表面、下表面同時設置，所述加熱體可以帶有隔熱層，也可以不帶隔熱層。

10.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，通過外磁場法分段改變磁敏感薄膜的退磁場，實施外磁場法所采用的硬磁體設置于磁敏感薄膜的任意一側或在兩側同時布置，所述硬磁體可以緊靠磁敏感薄膜，也可以不接觸磁敏感薄膜。

11.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，通過反濺法分段改變磁敏感薄膜的退磁場，所述反濺法可以是直接正離子轟擊反濺法和輝光清洗反濺法。

12.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，通過摻雜法分段改變磁敏感薄膜的退磁場，所述摻雜法可以是：熱擴散、離子注入、等離子體摻雜、投射式氣體浸入激光摻雜、汽相摻雜、離子淋浴摻雜、金屬離子摻雜、陰離子摻雜。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述磁敏感薄膜分段后的形狀可以是矩形、圓形、橢圓形、啞鈴形、紡錘形、鼓形、平行四邊形、三角形或多邊形。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述磁敏感薄膜分成n段，其中n為整數，且n≥2。