[發明專利]一種以復合二氧化鈦薄膜為電介質的電容器制備方法無效
| 申請號： | 201110057643.6 | 申請日： | 2011-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN102097209A | 公開（公告）日： | 2011-06-15 |
| 發明（設計）人： | 狄國慶;曹月華 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01G4/10 | 分類號： | H01G4/10;H01G4/33 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 氧化 薄膜 電介質 電容器 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種以復合二氧化鈦薄膜為電介質的電容器制備方法，其特征在于，包括下列步驟：
在所需制備薄膜電容器的襯底上，鍍制下部電極；
在形成的下部電極上鍍制電介質薄膜；
在電介質薄膜上鍍制電容器的上部電極；
其中，所述電介質薄膜的鍍制包括，
提供一真空腔體，該真空腔體內設有氧化釔與二氧化鈦復合靶材、具有下部電極的襯底，所述氧化釔與二氧化鈦復合靶材為將片狀的氧化釔設置在二氧化鈦靶材表面而成；
通入氧氣體積含量在0.1～20%范圍的氧氣和氬氣的混合氣體，工作氣壓調控在0.2～2?Pa之間；
采用磁控濺射方法，在待鍍膜襯底上形成Y2O3-TiO2復合薄膜層。
2.?根據權利要求1所述的以復合二氧化鈦薄膜為電介質的電容器制備方法，其特征在于：磁控濺射時，濺射功率密度在3～8?W/cm2范圍。
3.?根據權利要求1所述的以復合二氧化鈦薄膜為電介質的電容器制備方法，其特征在于：在鍍制電介質薄膜后，鍍制上部電極前，對鍍制有電介質薄膜的材料進行低溫退火處理，促進金紅石結構的二氧化鈦結晶顆粒形成。
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