[發明專利]高溫石英膜氦質譜漏孔有效
| 申請號： | 201110056691.3 | 申請日： | 2011-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN102192822A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 張晨光;黃文平;張志 | 申請（專利權）人： | 安徽皖儀科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01M3/02 | 分類號： | G01M3/02;G01M3/20 |
| 代理公司： | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人： | 方崢 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高溫 石英 膜氦質譜 漏孔 | ||
【權利要求書】：
1.高溫石英膜氦質譜漏孔，其特征在于：所述的高溫石英膜氦質譜漏孔由硬質玻璃外殼、封接在硬質玻璃外殼上的石英玻璃膜組成腔體，腔體內充有高純氦氣。
2.高溫石英膜氦質譜漏孔的生產方法，其特征在于：先把石英薄膜與硬質玻璃外殼封接成一整體并形成腔體，并在硬質玻璃外殼上保留工藝充氣孔；然后在氣壓小于0.6個大氣壓的低壓環境中，通過工藝充氣孔向腔體內沖入高純氦氣；在所述的低壓狀況下，熔融硬質玻璃外殼上的工藝充氣孔，使低壓氦氣保留在石英薄膜與硬質玻璃外殼之間的腔體內。
3.根據權利要求1、2所述的高溫石英膜氦質譜漏孔，其特征在于：所述的氦氣的純度為99.999%以上的氦氣。
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