[發明專利]基底、制造基底的方法及有機發光顯示裝置

有效

• 申請號: 201110055020.5
• 申請日: 2011-03-07
• 公開（公告）號: CN102201443A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 鄭胤謨;李基龍;徐晉旭;鄭珉在;孫榕德;蘇炳洙;樸承圭;樸炳建;李東炫;李吉遠;李卓泳;樸鐘力;鄭在琓
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

技術領域

實施例涉及一種包括薄膜晶體管的基底、制造該基底的方法及包括該基底的有機發光顯示裝置。

背景技術

平板顯示裝置可包括發射型顯示裝置和非發射型顯示裝置。發射型顯示裝置可包括例如平板陰極射線管(flat?cathode?ray?tube)、等離子體顯示面板(PDP)和電致發光顯示裝置。非發射型顯示裝置可包括液晶顯示器(LCD)。電致發光顯示裝置可具有寬視角、優異的對比度和快響應速度，因此，近來電致發光顯示裝置作為下一代顯示裝置已受到重視。根據形成發射層的材料，這樣的電致發光顯示裝置可包括無機電致發光裝置或有機電致發光裝置。

有機電致發光裝置可用于通過熒光有機化合物的電激發來發射光的自發光顯示器中。由于電致發光裝置可使用低電壓進行驅動，可容易地制薄，且具有寬視角和快響應速度，所以它們已受到廣泛的關注。

有機電致發光裝置可包括由有機材料形成并設置在陽極和陰極之間的發射層。當陽極電壓和陰極電壓分別施加到陽極和陰極時，從陽極注入的空穴通過空穴傳輸層移動到發射層，電子從陰極通過電子傳輸層移動到發射層，從而空穴和電子在發射層中復合并形成激子。

激子從激發態躍遷到基態，從而使發射層的熒光分子發射光并形成圖像。全彩型有機電致發光器件可包括發射紅R、綠G和藍B顏色的像素，從而實現全彩圖像。

在這樣的有機電致發光器件中，像素限定層可形成在陽極的兩端上。預定的開口可形成在像素限定層中。然后，發射層和陰極可順序地形成在通過開口暴露到外部的陽極上。

發明內容

實施例的特征提供了一種包括薄膜晶體管的基底、制造該基底的方法及包括該基底的有機發光顯示裝置，該基底可在不使用離子摻雜工藝的情況下制造。

通過提供一種包括薄膜晶體管的基底可實現上面和其它特征和優點中的至少一個，該基底包括：有源層，設置在基底上，有源層包括溝道區及源區和漏區；柵電極，設置在有源層上，溝道區與柵電極對應；柵極絕緣層，設置在有源層和柵電極之間；層間絕緣層，設置為覆蓋有源層和柵電極，層間絕緣層具有部分地暴露有源層的第一接觸孔和第二接觸孔；源電極和漏電極，設置在層間絕緣層上，源區和漏區與源電極和漏電極對應；歐姆接觸層，歐姆接觸層設置在層間絕緣層與源電極和漏電極之間，并通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區和漏區。

歐姆接觸層可包括非晶硅層或多晶硅層，非晶硅層包含離子雜質，多晶硅層包含離子雜質。

離子雜質可為N+或P+雜質。

歐姆接觸層可為在形成非晶硅層或多晶硅層的過程中通過注入磷基氣體或硼基氣體形成的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)層。

源區和漏區可導電。

源區和漏區可因使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導電。

源區的接觸歐姆接觸層的第一區域和漏區的接觸歐姆接觸層的第二區域可導電。

第一區域和第二區域可因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導電。

源區的接觸歐姆接觸層的第一區域和漏區的接觸歐姆接觸層的第二區域可導電。

第一區域和第二區域可因在形成歐姆接觸層之后使用磷基氣體或硼基氣體的等離子體工藝而導電。

基底還可包括緩沖層，緩沖層設置在基底和有源層之間以覆蓋基底。

還可通過提供一種制造基底的方法來實現上面和其它特征和優點中的至少一個，該方法包括以下步驟：在基底上形成有源層，有源層包括溝道區及源區和漏區；在有源層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵電極；在基底上形成層間絕緣層以覆蓋柵電極；在層間絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔以部分地暴露源區和漏區；形成通過第一接觸孔和第二接觸孔接觸源區和漏區的歐姆接觸層；形成設置在歐姆接觸層上的源電極和漏電極。

形成歐姆接觸層的步驟可包括形成包含離子雜質的非晶硅層的步驟或形成包含離子雜質的多晶硅層的步驟。

離子雜質可為N+或P+雜質。

形成歐姆接觸層的步驟可包括在用于形成非晶硅層或多晶硅層的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝過程中注入磷基氣體或硼基氣體的步驟。

該方法還可包括以下步驟：在形成柵電極之后和形成層間絕緣層之前，使用磷基氣體或硼基氣體對源區和漏區執行等離子體工藝以提供具有導電性的源區和漏區。

該方法還可包括以下步驟：在層間絕緣層上沉積歐姆接觸層之后，使用磷基氣體或硼基氣體執行等離子體工藝以提供源區和漏區的接觸歐姆接觸層的具有導電性的第一區域和第二區域。