[發明專利]一種模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜及其制備工藝有效
| 申請號： | 201110054867.1 | 申請日： | 2011-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN102162084A | 公開（公告）日： | 2011-08-24 |
| 發明（設計）人： | 宋忠孝;徐可為;田增瑞 | 申請（專利權）人： | 西安宇杰表面工程有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/00 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 模具 高溫 氧化 納米 zro sub 薄膜 及其 制備 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜，其特征在于：所述模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜是由納米晶ZrN和ZrO2組成的納米薄膜所述納米ZrOxN1-x薄膜厚度為1.8-2μm；所述納米ZrOxN1-x薄膜硬度為27-32GPa。
2.一種模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜，其特征在于：所述模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜的氧化溫度為1000℃以上。
3.如權利要求1或2所述模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜的制備工藝，其特征在于：采用脈沖電源濺射Zr靶，在N2/O2/Ar混合氣體中用反應磁控濺射沉積在高速鋼基體上。
4.如權利要求3所述模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜的制備工藝，其特征在于，該制備工藝采用以下步驟：
(1)選取靶材：選取Zr片為濺射靶材，以20mm×20mm高速鋼片為基體；
(2)進行薄膜沉積：將Zr靶在N2/O2/Ar混合氣體中用反應磁控濺射，沉積生成厚度為2μm的ZrOxN1-x薄膜。
5.根據權利要求4所述模具用抗高溫氧化納米ZrOxN1-x薄膜的制備工藝，其特征在于：所述反應磁控濺射采用脈沖電源，對基體施加50-200V的負偏壓，濺射氣壓為0.3Pa，N2分壓為0.06-0.09Pa，氧氣分壓為0.03-0.06Pa。
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