[發(fā)明專利]斑紋減少裝置和斑紋減少掩模

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110054854.4
• 申請日: 2011-03-07
• 公開（公告）號: CN102193208A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 仝召民;高文宏;陳旭遠;穆罕默德·納迪姆·阿克拉姆;歐陽光敏;王開鷹
• 申請（專利權(quán)）人: 西福爾德高等學院
• 主分類號: G02B27/48
• 分類號: G02B27/48;G03F1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;李春暉

1.一種斑紋減少裝置，包括：

輻射路徑；以及

布置在所述輻射路徑內(nèi)的掩模，所述掩模包括被配置成在所述掩模上形成隨時間變化的圖案的電可控單元的陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的斑紋減少裝置，其中，所述圖案是相位圖案和強度圖案中的一個。

3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的斑紋減少裝置，其中，所述掩模被布置成關(guān)于所述輻射路徑固定。

4.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，所述單元的陣列包括數(shù)目與列數(shù)目不同的行。

5.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，還包括：能夠在控制器與所述掩模中的每個單元之間連接的電極。

6.如權(quán)利要求5所述的斑紋減少裝置，還包括：將所述電極連接到所述控制器的控制總線。

7.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，還包括：兩個或更多個掩模。

8.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，所述掩模由第一線性陣列和第二線性陣列形成。

9.如權(quán)利要求8所述的斑紋減少裝置，其中，所述第一陣列包括第一平行線，所述第二陣列包括被布置成與所述第一平行線成非零角的第二平行線。

10.如權(quán)利要求9所述的斑紋減少裝置，其中，每個平行線被布置成有選擇地改變?nèi)肷漭椛涞南辔弧?/p>

11.如權(quán)利要求10所述的斑紋減少裝置，其中，在所述第一平行線與所述第二平行線之間的相交處形成所述電可控單元。

12.如權(quán)利要求9-11中任一項所述的斑紋減少裝置，其中，所述第二平行線被布置成基本上與所述第一平行線垂直。

13.如權(quán)利要求9-12中任一項所述的斑紋減少裝置，其中，所述第二線性陣列與所述第一線性陣列相接觸并且疊加在所述第一線性陣列上。

14.如權(quán)利要求9-13中任一項所述的斑紋減少裝置，還包括：將所述第一平行線的每個線連接到控制器的第一控制總線、以及將所述第二平行線的每個線連接到所述控制器的第二控制總線。

15.如權(quán)利要求11-14中任一項所述的斑紋減少裝置，其中，穿過所述掩模的每個單元的輻射的總體相位改變是0或π弧度。

16.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，所述掩模是透射掩?；蚍瓷溲谀?。

17.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，所述電可控單元的陣列的單元具有兩個狀態(tài)。

18.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，隨時間變化的所述掩模上的所述圖案包括哈德馬矩陣或正交陣列。

19.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，所述掩模由選自下組的材料形成，所述組由陶瓷、順電材料、石英和玻璃構(gòu)成。

20.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，還包括：布置在所述輻射路徑內(nèi)的擴束器。

21.如任一項在前權(quán)利要求所述的斑紋減少裝置，其中，所述掩?；旧衔挥谒鲚椛渎窂絻?nèi)的中間成像平面處。

22.一種斑紋減少掩模，包括：

第一線性陣列，其包括被布置成改變?nèi)肷漭椛涞南辔坏牡谝黄叫芯€；以及

包括第二平行線的第二線性陣列，所述第二平行線被布置成改變?nèi)肷漭椛涞南辔徊⑶疫€被布置成使得在所述第一平行線和所述第二平行線的相交處形成單元。

23.如權(quán)利要求22所述的斑紋減少掩模，其中，每個平行線的所述相位改變是獨立且電可控的。

24.如權(quán)利要求22或權(quán)利要求23所述的斑紋減少掩模，其中，所述第一平行線與所述第二平行線成90°的角。

25.如權(quán)利要求22-24中任一項所述的斑紋減少掩模，其中，穿過所述掩模的每個單元的輻射的總體相位改變是0或π弧度。

26.如權(quán)利要求25所述的斑紋減少掩模，其中，所述單元能夠被布置成形成從正交陣列生成的相位圖案。