[發明專利]電子裝置外殼及其制造方法

無效

• 申請號: 201110054732.5
• 申請日: 2011-03-08
• 公開（公告）號: CN102686074A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;林順茂
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H05K5/04
• 分類號: H05K5/04;C23C14/14;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電子裝置外殼，包括金屬基體，其特征在于：該電子裝置外殼還包括形成于該金屬基體上非晶合金薄膜，該非晶合金薄膜由具有10K以上的過冷液相溫度區間的非晶合金構成，該非晶合金薄膜表面形成有立體圖紋。

2.如權利要求1所述的電子裝置外殼，其特征在于：所述非晶合金為Zr基非晶合金、Cu基非晶合金及Ti基非晶合金中的一種。

3.如權利要求2所述的電子裝置外殼，其特征在于：所述Zr基非晶合金為Zr_54%~65%Al_10%~20%Co_18%~28%或Zr_50%~70%Al_l8%~12%Ni_10%~20%Cu_10%~20%非晶合金；所述Cu基非晶合金為Cu_50%~65%Zr_40%~45%Al_3%~5%、Cu_58%~65%Zr_28%~32%Ti_8%~12%及Cu_58%~65%Hf_23%~27%Ti_8%~12%非晶合金中一種；所述Ti基非晶合金為Ti_50%Ni_15%~20%Cu_24%~33%Sn_2%~6%非晶合金。

4.如權利要求所述的電子裝置外殼，其特征在于：所述圖紋為凸出或凹陷于該非晶合金薄膜表面的圖案、線條或者紋路。

5.如權利要求1所述的電子裝置外殼，其特征在于：所述圖紋通過用模具對非晶合金薄膜進行熱壓形成。

6.一種電子裝置外殼的制造方法，包括以下步驟：

提供金屬基體，并對金屬基體進行脫脂除油清洗；

以具有10K以上的過冷液相溫度區間的金屬合金為靶材，對金屬基體進行真空鍍膜處理，以在金屬基體表面形成非晶合金薄膜；

用具有凹凸圖紋表面的模具對非晶合金薄膜進行熱壓處理，以在非晶合金薄膜上形成立體圖紋。

7.如權利要求6所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：所述金屬合金為Zr基合金、Cu基合金及Ti基合金中的一種。

8.如權利要求7所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：所述Zr基合金為Zr_54%~65%Al_10%~20%Co_18%~28%或Zr_50%~70%Al_l8%~12%Ni_10%~20%Cu_10%~20%；所述Cu基合金為Cu_50%~65%Zr_40%~45%Al_3%~5%、Cu_58%~65%Zr_28%~32%Ti_8%~12%及Cu_58%~65%Hf_23%~27%Ti_8%~12%中的一種；所述Ti基合為Ti_50%Ni_15%~20%Cu_24%~33%Sn_2%~6%。

9.如權利要求6所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：所述真空鍍膜處理的方法為磁控濺射或電弧離子鍍。

10.如權利要求9所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：所述磁控濺射是在如下參數條件下進行：真空室內本底真空度為6×10^-3~8×10^-3Pa，真空室溫度為100~180℃，轉架公轉轉速為3~12轉/分鐘，靶材功率為6~12kw，氬氣流量為100~300sccm，金屬基體施加偏壓為-50~-200V，濺射時間為20~40分鐘。

11.如權利要求6所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：所述熱壓處理是將形成有非晶合金薄膜的金屬基體加熱至該非晶合金薄膜的玻璃轉化溫度點T_g以上、起始晶化溫度點T_x以下，再用具有凹凸圖紋表面的模具壓在非晶合金薄膜表面，以在非晶合金薄膜上形成所述圖紋。