[發明專利]一種表面阻態隨電疇變化的存儲器及其制備方法有效
| 申請號： | 201110054432.7 | 申請日： | 2011-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN102157686A | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發明（設計）人： | 江安全;陳閩川;惠文淵;劉驍兵 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 阻態隨電疇 變化 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種表面阻態隨電疇變化的存儲器，其特征在于包括電極以及位于所述電極之下的電阻轉變存儲層，其中，所述電阻轉變存儲層為經熱退火處理的鐵電薄膜，厚度在10nm～300nm。
2.根據權利要求1所述的表面阻態隨電疇變化的存儲器，其特征在于，所述電阻轉變存儲層熱退火處理的溫度為200?oC～600oC。
3.根據權利要求2所述的表面阻態隨電疇變化的存儲器，其特征在于，所述電阻轉變存儲層熱退火處理的還原性氣體氛圍為CO、H2或H2S氣體。
4.根據權利要求1所述的表面阻態隨電疇變化的存儲器，其特征在于，所述電極由金屬Au、Co、Ir、Re、Pd或者Pt制成。
5.根據權利要求1所述的表面阻態隨電疇變化的存儲器，其特征在于，所述電極中相鄰兩個正負電極之間的距離為10nm～300nm。
6.一種如權利要求1所述的表面阻態隨電疇變化的存儲器的制作方法，其特征在于，該制作方法包括以下步驟：
步驟一：將硅基底進行表面處理和清洗；
步驟二：采用熱氧化法，在硅基底表面生成二氧化硅層；
步驟三：采用溶膠-凝膠法在二氧化硅層上制備鐵電薄膜層；
步驟四：對鐵電薄膜層進行熱退火處理；
步驟五?:?在鐵電薄膜層上制備金屬電極。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步驟四中，熱退火處理的溫度為200?oC～600oC；熱退火處理的還原性氣體氛圍為CO、H2或H2S氣體。
8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述電極的材料為Au、Co、Ir、Re、Pd或者Pt?；所述電極中相鄰兩個正負電極之間的距離為10nm～300nm。
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