[發(fā)明專利]調(diào)節(jié)交流負(fù)載功率的可控硅狀態(tài)檢測方法、裝置及電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110054375.2
• 申請日: 2011-03-08
• 公開（公告）號: CN102207531A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜西輝;鐘家偉;楊小寶
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳和而泰智能控制股份有限公司
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02;G01R31/26
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44248
• 代理人: 胡吉科

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電器控制領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種調(diào)節(jié)交流負(fù)載功率的可控硅狀態(tài)檢測方法、裝置及電路。

背景技術(shù)

在許多控制系統(tǒng)中，其負(fù)載都是通過可控硅來調(diào)節(jié)加在負(fù)載上的交流電壓的高低，以便于達(dá)到調(diào)節(jié)負(fù)載功率的目的。例如，在對電機(jī)調(diào)速時，通常都是將電機(jī)的線圈與交流可控硅串接之后，調(diào)節(jié)該可控硅的導(dǎo)通角，導(dǎo)通角越大，加在電機(jī)線圈上的交流電壓就越接近交流電源的電壓值，該電機(jī)的轉(zhuǎn)速也就越快；可控硅的導(dǎo)通角越小，加到電機(jī)線圈上的交流電壓值也就越小，其轉(zhuǎn)速也就越慢。在調(diào)節(jié)負(fù)載功率對于控制系統(tǒng)比較重要的場合而言，例如，控制反應(yīng)或加工過程中的溫度，盡早知道可控硅的狀態(tài)，并在發(fā)現(xiàn)問題時及時將負(fù)載斷開是非常重要的。但是，在一般的控制系統(tǒng)中，通常是不能及時得知并采取相應(yīng)的動作的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述不能及時發(fā)現(xiàn)可控硅故障、不能及時斷開負(fù)載的缺陷，提供一種可以及時發(fā)現(xiàn)可控硅故障、可以及時將負(fù)載由交流電源上斷開的調(diào)節(jié)交流負(fù)載功率的可控硅狀態(tài)檢測方法、裝置及電路。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種調(diào)節(jié)交流負(fù)載功率的可控硅狀態(tài)檢測方法，所述可控硅兩個開關(guān)端之間并接有電壓取樣單元，所述電壓取樣單元輸出其取得的電壓波形到輸出驅(qū)動信號控制所述可控硅導(dǎo)通狀態(tài)的微處理器；所述檢測方法包括如下步驟：

A）所述交流負(fù)載與交流電源連接，所述微處理器不輸出驅(qū)動信號時，使所述可控硅不工作；

B）判斷所述電壓取樣單元輸出電壓波形是否為占空比為50%的脈沖波形？如是，執(zhí)行步驟C）；否則執(zhí)行步驟F）；

C）所述微處理器輸出驅(qū)動波形，使所述可控硅工作；

D）判斷所述電壓取樣單元輸出電壓波形是否為脈沖波形，如是，執(zhí)行步驟E）；否則，執(zhí)行步驟G）；

E）退出本次測試；

F）判斷所述可控硅開路，并跳轉(zhuǎn)到步驟E）；

G）判斷所述可控硅短路，并跳轉(zhuǎn)到步驟E）。

在本發(fā)明所述的可控硅狀態(tài)檢測方法中，所述步驟F）進(jìn)一步包括：

F1）第一計(jì)數(shù)值加1，并判斷所述第一計(jì)數(shù)值是否大于10？如是，執(zhí)行步驟F2；否則，返回步驟A）；

F2）置表示所述可控硅開路的開路標(biāo)志位，并跳轉(zhuǎn)到步驟E）。

在本發(fā)明所述的可控硅狀態(tài)檢測方法中，所述步驟G）進(jìn)一步包括：

G1）第二計(jì)數(shù)值加1，并判斷所述計(jì)數(shù)值是否大于10？如是，執(zhí)行步驟G2；否則，返回步驟C）；

G2）置表示所述可控硅短路的短路標(biāo)志位，并跳轉(zhuǎn)到步驟E）。

在本發(fā)明所述的可控硅狀態(tài)檢測方法中，還包括如下步驟：

H）當(dāng)所述短路標(biāo)志位或開路標(biāo)志位任意一個被置位時，所述微控制器輸出相應(yīng)的指示信號并輸出控制信號斷開所述負(fù)載與交流電源的連接。

在本發(fā)明所述的可控硅狀態(tài)檢測方法中，所述步驟B）中，判斷所述取樣單元輸出波形是否為占空比為50%的脈沖波形的方法為判斷所述電壓取樣單元的輸出電壓是否在一個交流電周期內(nèi)高電平持續(xù)時間為該周期的一半。

在本發(fā)明所述的可控硅狀態(tài)檢測方法中，所述步驟D）中，判斷所述取樣單元輸出波形是否為脈沖波形的方法為判斷所述電壓取樣單元的輸出電壓是否在交流電周期內(nèi)一直為低電平。

本發(fā)明還涉及一種調(diào)節(jié)交流負(fù)載功率的可控硅狀態(tài)檢測裝置，包括：

可控硅驅(qū)動信號控制單元：用于控制所述可控硅驅(qū)動信號的輸出與否；

電壓波形判斷單元：用于判斷由所述可控硅兩個開關(guān)端之間取得的電壓波形；

可控硅狀態(tài)判斷單元：用于依據(jù)所述電壓波形判斷單元對所述電壓波形的判斷結(jié)果，得到所述可控硅當(dāng)前狀態(tài)。

在本發(fā)明所述的可控硅狀態(tài)檢測裝置中，所述電壓波形判斷單元進(jìn)一步包括用于判斷所述電壓波形是否為占空比為50%的脈沖波形的開路判斷模塊和用于判斷所述電壓波形是否為脈沖波形的短路判斷模塊；所述可控硅狀態(tài)判斷單元進(jìn)一步包括用于在判斷所述可控硅開路時將其設(shè)置的開路標(biāo)志位置位的開路置位模塊和用于在判斷所述可控硅短路時將其設(shè)置的短路標(biāo)志位置位的短路置位模塊。