[發明專利]集成電路元件及其制作方法有效
| 申請號: | 201110054082.4 | 申請日: | 2011-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN102446954A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 葉秉君;葉德強;趙治平 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/22;H01L21/329 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;劉文意 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 元件 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子元件,且特別涉及集成電路元件及其制作方法。
背景技術
集成電路技術不斷地進步。這些技術的進步經常涉及縮小元件尺寸,以降低制作成本、提高元件集成密度(integration?density)、提高速度、以及提升性能。除了縮小元件尺寸的優點之外,集成電路元件本身也有所進步。其中一種集成電路元件為肖特基勢壘二極管(schottky?barrier?diode),其順向壓降(forward?voltage?drop)低、切換速度(switching?speed)接近零時間(zero?time)、且特別有利于射頻(radio-frequency)的應用。肖特基勢壘二極管包括一金屬,其接觸一半導體材料表面。舉例來說,肖特基元件包括一金屬硅化物層,其接觸硅基板的的一阱區(well?region),例如N阱區,以形成肖特基接觸區(Schottky?contact?region)。隨著N阱區的摻雜濃度增加,金屬硅化物層與N阱區的結(junction)的摻雜濃度增加,以致于擊穿電壓(breakdown?voltage)比預期的低且漏電流(leakage?current)比預期的大。因此,雖然現在的肖特基元件及其制作方法已逐漸滿足預定的用途,但隨著元件尺寸持續地減少,肖特基元件及其制作方法未能完全滿足各方面的需求。
發明內容
為克服上述現有技術的缺陷,本發明一實施例提供一種集成電路元件,包括:一半導體基板,具有一頂面與一底面,半導體基板為一第一導電類型;一輕度摻雜擴散區,配置于半導體基板中,輕度摻雜擴散區被摻雜成一第二導電類型;第一導電類型的一第一阱,自頂面延伸入半導體基板,第一阱圍繞輕度摻雜擴散區;第二導電類型的一第二阱,配置于半導體基板中,第二阱配置于輕度摻雜擴散區下方并部分鄰接第一阱的一底部;以及一導電層,鄰近輕度摻雜擴散區,其中導電層與輕度摻雜擴散區的一結上形成有一肖特基區域。
本發明另一實施例提供一種集成電路元件,包括:一半導體基板,具有一頂面與一底面,半導體基板為一第一導電類型;一輕度摻雜擴散區,配置于半導體基板中,輕度摻雜擴散區被摻雜成一第二導電類型;第二導電類型的一第一阱與一第二阱,自頂面延伸入半導體基板中,輕度摻雜擴散區位于第一阱與第二阱之間;第一導電類型的一第三阱,自頂面延伸入半導體基板,第三阱圍繞第一阱與第二阱;以及一導電層,鄰近輕度摻雜擴散區,其中導電層與輕度摻雜擴散區的一結上形成有一肖特基區域。
本發明又一實施例提供一種集成電路元件的制作方法,包括:提供一半導體基板,半導體基板具有一頂面與一底面,半導體基板為一第一導電類型;形成一第二導電類型的一第一阱與一第二阱,第一阱與第二阱自頂面延伸入半導體基板;形成第一導電類型的一第三阱,第三阱自頂面延伸入半導體基板,第三阱圍繞第一阱與第二阱;進行一退火工藝,以于半導體基板中形成一輕度摻雜擴散區,輕度摻雜擴散區位于第一阱與第二阱之間,且被摻雜成第二導電類型;以及形成一導電層,導電層鄰近輕度摻雜擴散區,其中導電層與輕度摻雜擴散區的一結形成有一肖特基區域。
本發明提供的肖特基元件會具有較佳的性能。再者,上述的肖特基元件可利用標準的CMOS工藝而輕易地形成在同一晶片上,無需使用額外的工藝(例如額外的掩模步驟)和/或制作成本。如此一來,可輕易地將具有不同擊穿電壓與開啟電壓的肖特基元件制作于單一集成電路元件上。
附圖說明
圖1示出本發明一實施例的一集成電路元件的俯視圖。
圖2示出圖1的集成電路元件沿線段2-2的剖面圖。
圖3示出本發明另一實施例的一集成電路元件的俯視圖。
圖4示出圖3的集成電路元件沿線段4-4的剖面圖。
圖5示出本發明又一實施例的一集成電路元件的俯視圖。
圖6示出圖5的集成電路元件沿線段6-6的剖面圖。
圖7示出本發明一實施例的一集成電路元件的制作流程圖。
其中,附圖標記說明如下:
100、200、300~集成電路元件;
110~基板、半導體基板;
112~隔離結構、隔離區;
114~深N阱區;
116~P阱區;
118~擴散區、n型擴散區、輕度摻雜的n型擴散區;
120、124~P+區、摻雜區;
122~N+區、摻雜區;
130~金屬層;
132~結;
140、142、144、146~接點;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110054082.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種扶梯導輪壓力機構
- 下一篇:一種膠帶切割器
- 同類專利
- 專利分類





