[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法與圖像感測元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110054069.9
• 申請日: 2011-03-04
• 公開（公告）號: CN102446930A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周世培;劉世昌;杜友倫;蔡嘉雄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/148
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?劉文意

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

一輻射感測單元，形成于一基板中；

一透明膜層，形成于該基板上；以及

一微透鏡，內(nèi)埋于該透明膜層中，其中該微透鏡具有一尖頂端部。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括：

一彩色濾光層，形成于該透明膜層上；以及

另一微透鏡，形成于該彩色濾光層上，其中內(nèi)埋于該透明膜層中的該微透鏡大體上對齊該另一微透鏡。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中內(nèi)埋于該透明膜層中的該微透鏡與該另一微透鏡包括不同的材料。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中內(nèi)埋于該透明膜層中的該微透鏡包括一介電材料，且該另一微透鏡包括一有機(jī)材料。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該尖頂端部具有一角度，該角度約為100度至120度。

6.一種圖像感測元件，包括：

一像素，位于一基板中；

一第一微透鏡，內(nèi)埋于位于該基板上的一膜層中，該第一微透鏡的一第一上表面具有一角狀的頂端；

一彩色濾光片，位于該膜層上；以及

一第二微透鏡，位于該彩色濾光片上，該第二微透鏡的一第二上表面具有一接近圓形的輪廓；

其中該像素、該第一微透鏡、該彩色濾光片、以及該第二微透鏡皆至少部分彼此對齊。

7.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包括：

形成一輻射感測單元于一基板中；

形成一圖案化介電層于該基板上，該圖案化介電層包括多個介電部，且多個開口分隔開所述多個介電部；以及

于該圖案化介電層上進(jìn)行一激光退火工藝，以使各該介電部熔化并再成形，而形成多個再成形的介電部，所述多個再成形的介電部各具有一尖頂端。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括，在進(jìn)行該激光退火工藝之后：

于所述多個再成形的介電部上形成一透明材料；

平坦化該透明材料以形成一透明膜層，所述多個再成形的介電部內(nèi)埋于該透明膜層中；

于該透明膜層上形成一彩色濾光層；以及

于該彩色濾光層上形成多個微透鏡。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中各該微透鏡對齊所述多個再成形的介電部的其中之一，所述多個再成形的介電部各作為該透明膜層中的一內(nèi)埋微透鏡。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中：

該圖案化介電層的形成方式使各該介電部于該激光退火工藝之前具有一第一寬度與一第一高度；以及

該激光退火工藝的進(jìn)行方式使各該再成形的介電部具有一第二寬度與一第二高度，該第二寬度大致上相等于該第一寬度，且該第二高度大于該第一高度。