[發(fā)明專利]電氣、電子部件用銅合金材料及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110053300.2 | 申請日: | 2011-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN102286672A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山本佳紀(jì);萩原登 | 申請(專利權(quán))人: | 日立電線株式會社 |
| 主分類號: | C22C9/00 | 分類號: | C22C9/00;C22C9/06;C22F1/08;H01B1/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;李昆岐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電氣 電子 部件 銅合金 材料 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及適于用作例如引線框、連接器、接線頭等電氣、電子部件的材料的銅合金材料及其制造方法;特別涉及既具有高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性又具有優(yōu)異的蝕刻性的電氣電子部件用銅合金材料及其制造方法。
背景技術(shù)
近年的半導(dǎo)體封裝正在進(jìn)行小型化、輕型化等。伴隨著在引線框中使用板厚薄的材料,要求開發(fā)出強(qiáng)度高的材料。為了進(jìn)一步薄型化此半導(dǎo)體封裝,廣泛使用通過蝕刻而部分性地薄化引線框的板厚的半蝕刻(half?etching)技術(shù)。在通過使用此半蝕刻技術(shù)來形成引線框的情況下,重要的是使用蝕刻表面容易被均勻溶解的材料。。
在該半導(dǎo)體封裝的引線框中可使用Cu合金材料。作為此銅合金材料,一般使用含有Fe及P的Cu-Fe-P系合金(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
就該Cu-Fe-P系合金的一個實例而言,例如含有Fe:2.1~2.6質(zhì)量%、P0.015~0.15質(zhì)量%、Zn:0.05~0.2質(zhì)量%的銅合金(C19400)作為標(biāo)準(zhǔn)的合金而被廣泛認(rèn)知。就改合金而言,通過熱處理而導(dǎo)致Fe或者Fe-P化合物從銅的母相中析出,由此具有同時地分別都提高導(dǎo)電性、熱導(dǎo)性、強(qiáng)度的優(yōu)點。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平3-294459號公報
發(fā)明內(nèi)容
就一般的Cu-Fe-P系合金而言,拉伸強(qiáng)度為400~500MPa左右。然而,可認(rèn)為,伴隨著半導(dǎo)體封裝的引線框的薄板化的進(jìn)程,在引線框需要益發(fā)強(qiáng)度高的材料。為了薄型化半導(dǎo)體封裝,通過半蝕刻而部分性地薄化引線框的板厚的情況下,如果在引線框的材料中包含粗大的晶出物及析出物,那么存在有蝕刻表面的溶解變得不均勻這樣的問題。以往的Cu-Fe-P系合金之中的、Fe的含量高的合金,便易于產(chǎn)生Fe的粗大的晶出物及析出物,在確保均勻的蝕刻性的方面存在有問題。
因此,本發(fā)明的目的在于提供具有高強(qiáng)度和高導(dǎo)電性的同時在半蝕刻時也可確保均勻的蝕刻性的電氣、電子部件用銅合金材料及其制造方法。解決課題的技術(shù)方案
本申請發(fā)明人等為解決上述課題而進(jìn)行了認(rèn)真研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了可根據(jù)本申請技術(shù)方案1和2涉及的發(fā)明即電氣、電子部件用銅合金材料與技術(shù)方案3涉及的發(fā)明即電氣、電子部件用銅合金材料的制造方法,從而有效地解決。
[1]技術(shù)方案1涉及的發(fā)明提供:一種電氣、電子部件用銅合金材料,其特征在于,所述銅合金含有0.1~1.0質(zhì)量%的Fe或Co中的任一方或含有合計為0.1~1.0質(zhì)量%的Fe和Co,并且含有0.02~0.3質(zhì)量%的P,F(xiàn)e及Co的合計與P的質(zhì)量比(Fe+Co)/P為3~10,剩余部分包含Cu及不可避免的雜質(zhì);在前述銅合金中包含的粒徑為10nm以上的晶出物及析出物之中,粒徑為100nm以上的晶出物及析出物的個數(shù)的比例為1.0%以下。
[2]技術(shù)方案2涉及的發(fā)明提供:一種電氣、電子部件用銅合金材料,其特征在于,所述銅合金含有0.1~1.0質(zhì)量%的Fe或Co中的任一方或含有合計為0.1~1.0質(zhì)量%的Fe和Co,并且含有0.02~0.3質(zhì)量%的P,F(xiàn)e及Co的合計與P的質(zhì)量比(Fe+Co)/P為3~10,進(jìn)一步含有合計為0.03~1.0質(zhì)量%的選自Sn、Zn、Zr、Cr、Ti的1種以上的成分,剩余部分包含Cu及不可避免的雜質(zhì);在前述銅合金中包含的粒徑為10nm以上的晶出物及析出物之中,粒徑為100nm以上的晶出物及析出物的個數(shù)的比例為1.0%以下。
[3]提供一種電氣、電子部件用銅合金材料的制造方法,其特征在于,將上述[1]或[2]所述的銅合金的原材料進(jìn)行熱軋;在熱軋之后的工序中,至少2次實施加工度20%以上的冷軋和在400~470℃加熱10秒~10分鐘的熱處理的組合。
就本發(fā)明的銅合金材料而言,具有相比于以往的Cu-Fe-P系合金更優(yōu)異的強(qiáng)度,在導(dǎo)電性上也維持良好的特性。在此之外,因在材料中不含粗大的晶出物及析出物而可獲得均勻的蝕刻表面。
附圖說明
圖1:表示本發(fā)明的第1實施方式的電氣、電子部件用銅合金材料的組成規(guī)定的圖表。
具體實施方式
以下,基于所附附圖來具體說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
第1實施方式
本第1實施方式的電氣、電子部件用的銅合金材料適于用作例如薄型的半導(dǎo)體封裝的引線框的材料。
銅合金的主成分
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